超高真空脈衝雷射沉積系統

超高真空脈衝雷射沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2019年11月11日啟用。

基本介紹

• 中文名：超高真空脈衝雷射沉積系統
• 產地：芬蘭
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2019年11月11日

技術指標

主腔體:(1)本底真空度優於5E-9Torr; (2) 配置紅外雷射加熱和電阻加熱雙加熱系 統，最高加熱溫度不低於1100攝氏度；(3) 配置30 keV高氣壓高能電子束衍射系統 ，可在最高不低於0.4 Torr氧壓下原位監控樣品生長；(4)配置高濃度臭氧產生、 供給和後處理裝置；(5)樣品托可在進樣室、脈衝雷射沉積室和電子束蒸發室之間 順暢傳輸；（6）除臭氧氣路外，不少於雙路進氣。電子束蒸發室：(7)本底真空度 優於1E-9Torr; (8)樣品台可連續旋轉，可加熱，最高加熱溫度不低於800攝氏度； （9）與超高真空系統兼容的電子束蒸發源，不少於6個pocket（10）配置高品質清 洗離子源；（11）配置掩膜系統，（12）配置臭氧氣路。

主要功能

1、製備高質量氧化物薄膜、金屬薄膜，以及通過原位傳遞在不暴露大氣的情況下 實現氧化物薄膜和金屬薄膜的有機結合，製備高質量器件。 2、該設備處於國內領 先水平。