超高真空脈衝雷射沉積電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2017年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：超高真空脈衝雷射沉積電子束蒸發系統
- 產地：中國
- 學科領域：材料科學
- 啟用日期：2017年12月1日
技術指標,主要功能,
技術指標
本系統主體由預真空進樣室、超高真空脈衝雷射沉積室、超高真空電子束蒸發室和 準分 子雷射器四部分組成。所有主要部件皆須使用進口產品。主要分項技術指標如下： （一） 預真空進樣室 1、本底真空度優於5E-7 torr； 2、採用兩支 與超高真空相容的線性傳送桿， 分別將樣品傳送到脈衝雷射沉積室和電子束蒸發室，並有脈 衝激光沉積室內的樣品及靶材 傳遞機構。 （二）超高真空脈衝雷射沉積室 1、本底 真空度優於5E-9 torr； 2、樣品台系 統為一套紅外雷射加熱器； 3、樣 品台系統包含一個X/Y/Z操控平台，用於控制樣品在三個 維度上的位置； 4、樣品 托為SiC，要求可裝載樣品直徑為10 x 10 mm樣品，樣品托上配有 電腦控 制的氣動擋板； 5、對於雷射加熱器：在真空環境無負載下，要求開始加熱90 秒 內溫度不低於 1000 ℃；開始加熱10小時後，距樣品端20cm之外的 部分溫度不高於70℃； 配 備pyrometer測溫器用於探測樣品溫度； 6、要求即使在一個大氣壓（760 torr）的氧壓 環境中，加熱器也可在最高溫 度下 長時間工作；樣品溫度可用電腦控制； 7、要求有30 k。
主要功能
脈衝雷射沉積技術具有成膜的化學成分計量比和靶材一致、生長快速等眾多優點，幾乎適用 於所有的固態氧化物材料以及其他很多材料，被廣泛套用於物理學和材料學等研究領域； 電 子束蒸發是非常強大的金屬薄膜製備技術，特別適合製備各種金屬電極。脈衝雷射沉積 和電 子束蒸發的結合可以實現氧化物電子器件的原位加工和製備，可以更好地研究包含氧 化物材 料在內的眾多材料的本徵電輸運性質。
