張繼華，博士，副教授。1998年畢業於蘭州大學物理系獲學士學位，2004年畢業於中國科學院上海微系統與信息技術研究所獲博士學位，同年加入電子科技大學。“國家安全重大基礎研究(973)”項目骨幹，子課題“鐵電/半導體異質結構調製機理與物理模型”負責人；2006年度國家自然科學基金“薄膜型光學相控陣器件基礎研究”負責人；2007年廣東省教育部產學研結合重點項目“薄膜化微波元器件集成技術及中試生產”負責人；2009年廣東省教育部產學研結合重大專項“薄膜集成器件關鍵技術開發”課題一負責人；“十一五”軍事預研項目“**材料套用研究”第二負責人。主要從事薄膜集成技術的研究與教學。研究方向包括薄膜化無源集成技術、半導體材料及器件技術、鐵電薄膜材料及微波器件、敏感材料與感測器等。主講資訊理論導論、統計物理等課程。培養碩士研究生7名。相關研究結果在Carbon (IF 4.373)、Appl. Phys. Lett. (IF 3.726)、Nanotechnology (IF 3.446)等國際期刊發表學術論文30 余篇，申請發明專利6項。
基本介紹
- 中文名：張繼華
- 國籍：中國
- 出生日期：1975年
- 性別：男
個人簡介,工作履歷,學術兼職,科研項目,研究領域,學術成果,學生培養,
個人簡介
“微波介質與集成器件團隊”負責人，主要從事電子薄膜集成技術方向的教學和科研工作。先後作為負責人承研973重大基礎研究子課題、國家自然科學基金、產學研重大專項及軍事電子預研、軍品配套等科研項目10餘項；在《Carbon》、《Appl. Phys. Lett》、《Nanotechnology》等SCI刊物上發表論文50餘篇，被引用565次（其中論文Carbon 44(3): 418-422被Elsevier評為“2006-2010中國大陸引用最多的50篇論文”）；會議邀請報告5次；獲授權國家發明專利5項。其代表性研究成果主要表現在介電/半導體異質結構耦合效應研究、鐵電薄膜介電非線性機理與套用以及薄膜集成技術產業化等方面，其中部分研究成果已在電子系統中驗證/套用或批量生產。取得了較好經濟和社會效益，在國內外同行中有一定影響。
同時還承擔973計畫、2011計畫"核心電子材料與器件協同創新中心"等一系列重大項目的組織、管理工作，具有組織重大項目的經驗。
教育背景
2001.09-2004.07: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所，材料物理與化學，博士（導師：王曦 研究員/院士）
1998.09-2001.07: 中國空間技術研究院蘭州物理研究所，物理電子學，碩士（導師：孫亦寧 研究員）
1994.09-1998.07: 蘭州大學物理系，電子材料與器件工程，學士
工作履歷
2004.07－2007.07 電子科技大學，講師
2007.08－2013.07 電子科技大學，副教授
2013.08－今 電子科技大學，教授
2014.02－今 電子科技大學微電子與固體電子學院，院長助理（科研）
學術兼職
2009.03－今 無源元器件與集成省部產學研創新聯盟，理事；
IEEE Electron Device Lett. 、Nanoscale Res. Lett. 、J. Phys. Chem. Solids、Current Nanoscience、半導體學報、物理學報、計算物理等期刊審稿人；
國家自然科學基金通信評審。
科研項目
（1）射頻微系統玻璃基板通孔技術研究，中國電科創新項目，經費500萬元，2015-2017；
（2）薄膜集成器件關鍵技術開發，廣東省教育部產學研重大專項，經費200萬元, 2009-2012；
（3）壓電/GaN異質結構的電場-遷移率耦合效應研究，國家自然科學基金面上項目，經費60萬元, 2012-2015；
（4）XXXX薄膜材料套用研究，總裝預研項目，經費200萬元,2011-2015；
（5）高性能TaN薄膜電阻關鍵技術開發與產業化，廣東省教育部產學研結合重點項目，經費100萬元, 2012-2015；
（6）薄膜化微波元器件集成技術研究和中試生產，廣東省教育部產學研結合項目，經費100萬元，2007-2010；
（7）兼容MMIC工藝的XXXX，國防預研基金，經費30萬元,2010-2013；
（8）介電/半導體集成薄膜調製耦合機理研究，國防973計畫二級子項目，經費250萬元,2007-2010。
研究領域
研究方向
1 薄膜無源集成技術
無源集成是電子系統集成化、小型化的關鍵，薄膜集成技術是一種新的無源集成技術。與傳統的厚膜集成技術（LTCC）相比，基於微電子工藝的薄膜集成技術通常能提供更優良的元件精度、性能和功能密度，以及更高集成度、更小體積和重量，因此成為當前國際上無源集成技術發展的重點方向。
本團隊瞄準國際電子系統集成技術研究前沿，以射頻微系統關鍵模擬/無源/可重構元件集成技術為對象，擬通過材料學、微電子學、物理化學等多學科的交叉，整合多種技術和方法，探索各種功能薄膜異質異構集成過程中的薄膜生長機理、尺度效應、以及多層薄膜間的物理相容性和化學相容性等，為進一步提高微波積體電路集成度，實現多功能/高性能的SoC和SoP提供關鍵技術基礎。目前主要研究鐵電薄膜與可調微波器件、高介低損耗介質薄膜與高比容集成電容、敏感薄膜與微波開關器件、射頻電阻等。
2 集成高功率儲能電容器介質
儲能電容器具有功率密度大、儲能密度高、抗循環老化、高溫和高壓等極端環境下性能穩定等優點，在脈衝功率電源、高能量密度武器、功率電子器件、電動汽車及智慧型電網系統等基礎科研和工程套用領域有著廣闊的套用前景，是當前電子材料和新能源發展的前沿和熱點。
本團隊圍繞介電極化機制與儲能關係開展研究，通過一元氧化物緻密化燒結、介質玻璃複合、有機/無機複合等途徑，拓寬工作溫區、提高耐壓和/或介電係數，探索大幅度提高電容儲能特性的介質材料。
研究條件
項目組依託電子薄膜與集成器件國家重點實驗室，擁有國際一流的科研裝備條件，建成涵蓋了器件/電路設計、薄膜材料製備、器件微細加工與分析測試等工藝流程的4個平台。電路設計平台擁有多台Sun、Dell工作站及微波電路設計與仿真軟體（Materials Studio、HFSS、Microwave Studio、ADS、L-Edit等），可滿足項目材料與薄膜電路設計的需要；薄膜製備與處理工藝平台包括射頻/直流磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統(PLD)、雷射分子束外延系統(L-MBE)、蒸發系統以及退火爐、快速晶化爐等，這為本項目各種功能薄膜材料的研製提供了必要的手段；微細加工平台擁有1000級超淨間、4~6英寸基片0.56微米和1.2微米光刻機、反應離子刻蝕機等，可完成各種薄膜集成器件的研究和小批量製作；分析和性能測試平台包括掃描電鏡、掃描探針顯微鏡、X射線衍射儀，以及LCR儀、矢量網路分析儀、阻抗分析儀、高溫（1000oC）介電性能測試儀、高壓（100kV）擊穿儀等，為本項目的材料分析與器件測試提供了保障。
同時，與各電子材料與元器件廠家有長期項目合作，可充分利用生產線進行研發、工藝驗證和產品測試。
學術成果
要科研成果
1. 針對系統小型化、集成化，開發薄膜無源集成產業化關鍵技術，參與倡導成立“無源集成產學研聯盟”，承擔廣東省教育部產學研重大專項，發明了薄膜電路基片平坦化、複合電極製備與圖形化等方法，解決了薄膜器件產業化中的一致性、可靠性問題，分別在風華高科、廣州翔宇、廣州天極建立起3條薄膜器件生產線，使薄膜電路基片、薄膜功率電阻、薄膜電路等在國內率先實現工業規模生產。打破了美、日等在薄膜集成器件領域的壟斷，使我國企業成長為高端薄膜集成器件生產商。
2. 針對有源/無源集成中異質材料相互作用機理，首次建立起考慮極化、應變影響的鐵電/半導體調製耦合模型，預測了該集成結構中的極化調製、應變耦合和介電增強等新效應；率先提出並研製出基於鐵電極化的GaN功率器件和GaN增強型器件，為新型半導體器件的研製奠定了理論和技術基礎。
相關成果成為973項目的重要創新點，作為標誌性成果之一獲得總裝專家顧問組的高度評價與肯定。發表SCI論文10餘篇。其中，Appl. Phys. Lett. 2009, 95:122101審稿人認為“… a possible device structure was proposed. The authors’ findings are noteworthy…(提出一種新的器件結構，該發現很有價值)”； J. Appl. Phys. 2010, 108: 084501審稿人認為“...These theoretical predictions can provide some references to the design of new electronic devices. …( 理論預測為設計新型電子器件提供了參考)”。分別在第七屆中國國際納米科技 (武漢) 研討會作分會邀請報告、第十一屆全國固體薄膜學術會議作大會邀請報告。
3. 針對射頻前端用高性能電子薄膜材料，最佳化了非線性鐵電薄膜微波介電性能和電光性能，在國內率先實現鐵電薄膜移相器360°連續移相。穩步推進鐵電薄膜在可調微波器件、光相控陣方面的套用研究。製備的鐵電電光薄膜（雙折射率0.085，透過率高於80%）是目前國際上最好的結果；“鐵電薄膜材料及介質移相器關鍵技術”成果經四川省國防科工辦鑑定“達到國際先進水平”。
相關成果獲授權發明專利4項，發表SCI論文20餘篇。其中，2011年7月，Carbon 44(3): 418-422論文(影響因子5.378)被Elsevier評為“2006-2010中國大陸引用最多的50篇論文”之一。在TFC’11全國薄膜技術學術研討會作大會邀請報告。
代表性論文、會議邀請報告與專利
1. Jihua Zhang, Chuanren Yang, Song Wu, Ying Liu, Hongwei Chen, Wanli Zhang, Yanrong Li, Theoretical design of GaN/ferroelectric heterostructure: Toward a strained semiconductor on ferroelectric,Appl. Phys. Lett.2009, 95: 122101.
2. Chao Chen, Xingzhao Liu, Jihua Zhang, Benlang Tian, Hongchuan Jiang, Wanli Zhang, and Yanrong Li, Threshold voltage modulation mechanism of AlGaN/GaN metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors with fluorinated Al2O3 as gate dielectrics.Appl. Phys. Lett.2012, 100: 133507.
3. Jihua Zhang, Xi Wang, Wenwei Yang, Weidong Yu, Tao Feng, Qiong Li, Xianghuai Liu, Chuanren Yang. Interaction between carbon nanotubes and substrate and its implication on field emission mechanism.Carbon44(3): 418-422(2006)
4. Jihua Zhang, Chuanren Yang, Yongjin Wang, Tao Feng, Weidong Yu, Jun Jiang, Xi Wang and Xianghuai Liu. Improvement of Field Emission of Carbon Nanotubes by Hafnium Coating and Annealing.Nanotechnology17: 257-260 (2006).
5. Jihua Zhang, Chuanren Yang, Song Wu, Ying Liu, Ming Zhang, Hongwei Chen, Wanli Zhang, and Yanrong Li, Tuning Two-dimensional Electron Gas of Ferroelectric/GaN Heterostructures by Ferroelectric Polarization,Semicond. Sci. Technol.25 (2010) 035011.
6. Jihua Zhang, Chuanren Yang, Ying Liu, Min Zhang, Hongwei Chen, Wanli Zhang, and Yanrong Li, Can we enhance two-dimensional electron gas from ferroelectric/GaN heterostructures?J. Appl. Phys.2010, 108(7): 084501.
7. Jihua Zhang, Shanxue Zhen, Lijun Yang, Feizhi Lou, Hongwei Chen, and Chuanren Yang, Super Smooth Modification of Al2O3 Ceramic Substrate by High Temperature Glaze of CaO–Al2O3–SiO2 System,Jpn. J. Appl. Phys.2011: 50: 015803.
8. Jihua Zhang, Shangjun Mo, Huayi Wang, Shanxue Zhen, Hongwei Chen, Chuanren Yang, Microstructure and electrical properties of PLZT ceramics from Pb3O4 as the lead source,J. Alloy. Compd.509 (2011) 2838–2841.
9. Jihua Zhang, Hongwei Chen, Guanhuan Lei, Wei He, Yu Liao, Qiaozhen Zhang, and Chuanren Yang, Improved Ferroelectric Phase Shifter by Inserting Spiral Inductors into Ground,Integrated Ferroelectrics130:27–32, 2011
10. Jihua Zhang, Huizhong Zeng, Min Zhang, Wei Liu, Zuofan Zhou, Hongwei Chen, Chuanren Yang, Wanli Zhang, Yanrong Li, Probe Pressure dependence of Nanoscale Capacitance -Voltage Characteristic for AlGaN/GaN Heterostuctures,Rev. Sci. Instrum.2010, 81(10): 103704.
11. 張繼華，趙 強，微波介質薄膜研究與套用【大會邀請報告】，TFC’11全國薄膜技術學術研討會，2011.8.25-28，南昌
12. Jihua Zhang, Tuning 2DEG of Ferroelectric/ GaN Heterostructure by Polari- zation and Strain——A theoretic Study, The 7th China International Conference on NanoScience and Technology, Wuhan【分會邀請報告】，2008.10.20
13. 張繼華,鐵電/氮化鎵異質結構基本物理參數與性能模,第十一屆全國固體薄膜學術會議（杭州）【大會邀請報告】，杭州，2008.10.26
14. 張繼華, 碳納米管的改性及場發射性能研究, 第十六屆全國半導體物理學術會議【分會邀請報告】，蘭州，2007.9.8-9
15. 用於刻蝕BST薄膜的腐蝕液及製備方法．專利號：ZL200810045321.8, 2011.4.27授權
16. 一種高溫加熱的真空蒸發鍍膜裝置．專利號：ZL200810044995.6，2011.7.20授權
17. 薄膜電路產品基片處理方法，專利號：ZL200810304256.6，2011.7.27授權
18. 基於不鏽鋼基板的YBCO厚膜電阻漿料及其製備方法，專利號：ZL201010158934.X，2011.11.2授權
19. 用於刻蝕微波介質薄膜的刻蝕液及製備方法，專利號：ZL201110455998.0，2013.11授權
學生培養
“楊傳仁教授弟子捐助獎學金”
為支持電子科技大學教育事業發展，激勵在校學生勤奮學習，努力攀登科學高峰，本團隊楊傳仁教授門下畢業弟子設立“楊傳仁教授弟子捐助獎學金”。
每年保送本課題組的研一學生均可獲得此獎學金，課題組研究生獲獎人數比例不低於當年總評定人數的40%。
就業方向
畢業生既具有電子材料基礎，也具有微波器件和半導體工藝與設計基礎，就業全部在高新技術企業、高層次科研機構、高等院校等“三高"單位(如華為、中興、MPS，以及中國航天、中航工業、中國船舶、中國電科各研究所等)，大多已成為單位骨幹或行業翹楚。
