雷射分子束外延真空腔體是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月17日啟用。
基本介紹
- 中文名:雷射分子束外延真空腔體
- 產地:日本
- 學科領域:信息科學與系統科學
- 啟用日期:2014年12月17日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 汽車工藝實驗設備 > 紅外線汽車排氣分析儀
雷射分子束外延真空腔體是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月17日啟用。
雷射分子束外延真空腔體是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月17日啟用。技術指標外延室: 直徑500mm不鏽鋼球形腔體,裝配有靶組件、基片台等部件及多種視窗/觀察窗、接口、樣品傳遞(磁傳送桿)...
雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年5月6日啟用。技術指標 超高真空沉積腔體,本底真空優於10-9mbar雷射能量 700mJ,頻率 100 Hz。主要功能 雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(...
超高真空沉積腔體,本底真空優於10-9mbar。可集成多種薄膜製備和表面分析設備,如磁控濺射源、離子源、STM、XPS等。可以通過軟體編寫工藝流程,系統自動執行,可實現多層膜的自動化生長。提供雷射分子束外延系統原位監測的RHEED的電子槍通常...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
LMBE450A雷射分子束外延系統是一種用於物理學、生物學、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2010年1月20日啟用。技術指標 1.極限真空優於:5.0x10-8Pa(經烘烤除氣後)2.真空漏率小於2.0x10-8Pa.l/S 3.系統從大氣開始抽...
雷射分子束外延裝置是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年1月1日啟用。技術指標 真空度高達2*10-8Pa;四靶位,1個樣品台,樣品台加熱可達800攝氏度。 原位觀測製備單晶超薄膜樣品。主要功能 製備...
雷射分子束外延RHEED聯合系統 雷射分子束外延RHEED聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年7月6日啟用。技術指標 本地真空5x10-8 Pa,工作氧壓≤65Pa。主要功能 製備高精度氧化物超薄膜。
組合雷射分子束外延系統 組合雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月2日啟用。技術指標 功率:5kW, 真空度:1e-9torr,溫度:20-1000℃。主要功能 生長連續梯度組分薄膜。
雷射分子束外延設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年3月20日啟用。技術指標 雷射器輸出波長:248 nm,脈寬 20 ns,最高能量 400 mJ; 基底最高溫度 800 攝氏度;最高真空度 10-5 Pa; 4靶系統;帶有高氧壓RHEED監控...
雷射分子束外延成膜系統是一種用於電子與通信技術、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年12月1日啟用。技術指標 極限真空:5.0×10-8 Pa。主要功能 用於生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料。
脈衝雷射分子束外延爐 脈衝雷射分子束外延爐是一種用於材料科學領域的儀器,於2016年02月10日啟用。技術指標 最高真空度:5x10-9。主要功能 脈衝雷射分子束外延爐。