雷射分子束外延裝置是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年1月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:雷射分子束外延裝置
- 產地:中國
- 學科領域:物理學、材料科學、電子與通信技術
- 啟用日期:2013年1月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備
雷射分子束外延裝置是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年1月1日啟用。
雷射分子束外延裝置是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年1月1日啟用。技術指標真空度高達2*10-8Pa;四靶位,1個樣品台,樣品台加熱可達800攝氏度。 原位觀測製備單晶超薄膜樣品。...
把分子束外延和脈衝雷射結合起來,發展成所謂雷射分子束外延(L-MBE)技術。它是用雷射照射靶來代替分子(原子)束源,更容易實現對蒸發過程精確的控制,顯示了比常規分子束外延更加廣闊的套用前景。分子束外延可能的套用領域由:在高溫超導薄膜和器件的研究和套用方面將由於L-MBE能夠人工控制原子層的有秩序堆積,可以外延...
把分子束外延和脈衝雷射結合起來,發展成所謂雷射分子束外延(L-MBE)技術。它是用雷射照射靶來代替分子(原子)束源,更容易實現對蒸發過程精確的控制,顯示了比常規分子束外延更加廣闊的套用前景。分子束外延可能的套用領域由:在高溫超導薄膜和器件的研究和套用方面將由於L-MBE能夠人工控制原子層的有秩序堆積,可以外延...
套用 分子束外延不僅可用來製備現有的大部分器件,而且也可以製備許多新器件,包括其它方法難以實現的,如藉助原子尺度膜厚控制而製備的超晶格結構高電子遷移率電晶體和多量子阱型雷射二極體等。我們在公車上看到的車站預告板,在體育場看到的超大顯示屏,其發光元件就是由分子束外延製造的。
雷射分子束外延真空腔體是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月17日啟用。技術指標 外延室: 直徑500mm不鏽鋼球形腔體,裝配有靶組件、基片台等部件及多種視窗/觀察窗、接口、樣品傳遞(磁傳送桿) 外延室背底真空度:2 x 10-8Pa以上 靶組件:最大可裝25.4mm(1英寸)*5mm靶材4塊,可...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
組合雷射分子束外延系統 組合雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月2日啟用。技術指標 功率:5kW, 真空度:1e-9torr,溫度:20-1000℃。主要功能 生長連續梯度組分薄膜。
雷射分子束外延成膜系統 雷射分子束外延成膜系統是一種用於電子與通信技術、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年12月1日啟用。技術指標 極限真空:5.0×10-8 Pa。主要功能 用於生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料。
脈衝雷射分子束外延爐 脈衝雷射分子束外延爐是一種用於材料科學領域的儀器,於2016年02月10日啟用。技術指標 最高真空度:5x10-9。主要功能 脈衝雷射分子束外延爐。
雷射分子束外延 雷射分子束外延是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 將分子束外延技術與脈衝雷射沉積技術的有機結合,在分子束外延條件下雷射蒸發鍍膜的技術。出處 《材料科學技術名詞》。
雷射輔助電漿分子束外延 雷射輔助電漿分子束外延是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 在分子束外延生長中,利用準分子脈衝雷射燒蝕高熔點氧化物靶,使氧化物沉積到襯底上生長薄膜的技術。出處 《材料科學技術名詞》。
進入 80 年代,半導體雷射器及其陣列研究工作的巨大進展極大地推動了固體雷射器件、技術及套用的發展。8 由於晶體生長技術、分子束外延(MBE)、有機金屬化合物氣相外延(MOCVD)的日益成熟和量子阱結構的出現,LD的閾值電流已明顯降低,連續或準連續的輸出功率和轉換效率也有所提高,A.Larsson等人將LD的總效率提高到 ...
半導體雷射器又稱雷射二極體(LD)。進入八十年代,人們吸收了半導體物理髮展的最新成果,採用了量子阱(QW)和應變數子阱(SL-QW)等新穎性結構,引進了折射率調製Bragg發射器以及增強調製Bragg發射器最新技術,同時還發展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術新工藝,使得新的外延生長工藝能夠精確地控制晶體生長,達到原子層...
20 世紀 80 年代,在此期間半導體物理研究有了新的成果,對半導體雷射器的發展產生了極大的促進。半導體雷射器採用量子阱(QW),應變數子阱(SLQW)技術和新的晶體生長工藝包括:分子束外延(MBE)、有機金屬化合物氣相外延(MOCVD)等,明顯降低二極體雷射器的閾值電流、提高其效率和功率,改善其冷卻結構。科研人員敏銳...
電路設計平台擁有多台Sun、Dell工作站及微波電路設計與仿真軟體(Materials Studio、HFSS、Microwave Studio、ADS、L-Edit等),可滿足項目材料與薄膜電路設計的需要;薄膜製備與處理工藝平台包括射頻/直流磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統(PLD)、雷射分子束外延系統(L-MBE)、蒸發系統以及退火爐、快速晶化爐等,這為本項目...
42分子束外延技術 421分子束外延生長的基本原理與過程 422分子束外延生長的條件、製備方法與特點 423分子束外延生長參數選擇 424影響分子束外延的因素 425分子束外延裝置 43真空蒸發鍍膜設備 431真空蒸發鍍膜機的類型及其結構 432真空蒸發鍍膜機中的主要構件 44真空...
擁有場發射掃描電鏡、雷射分子束外延系統、橢圓偏振光譜儀、飛秒雷射放大系統、多層精密鍍膜機等先進的科研設備,教學科研儀器設備總值3700餘萬元。理論物理是山東省“十一五”期間強化建設的重點學科、山東省“十二五”重點建設學科,光學專業是山東省“十二五”強化建設的特色優勢學科。“雷射偏光與信息技術實驗室”是山東...
真空鍍膜設備,主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。書籍 內容簡介 《真空鍍膜設備》詳細介紹了真空鍍膜設備的設計方法與鍍膜設備各機構元件的設計計算、設計參數的選擇,其中重點、系統地介紹了...
3.2分子束外延技術81 3.2.1分子束外延生長的基本原理與過程81 3.2.2分子束外延生長的條件、製備方法與特點81 3.2.3分子束外延生長參數選擇82 3.2.4影響分子束外延的因素83 3.2.5分子束外延裝置84 3.3脈衝雷射沉積技術(PLD)87 3.3.1PLD的基本原理及特點87 3.3.2PLD技術的套用88 3.4真空蒸發鍍膜...
自動化所研製的雷射紅外電視電影經緯儀 自動化所研製的HR-01號海洋機器人 計算所研製的KSJ-2730超級小型計算機系統 計算所研製的八四式地炮射擊指揮系統 科儀廠研製的分子束外延設備 科儀廠研製的NP-1型X光電子能譜儀 科儀廠試製的LBS-1型離子薄化器 金屬所多年來堅持科研為國民經濟和國防建設服務,取得436項科技...
1984 在世界範圍內率先通過MBE(分子束外延)法將雷射二極體套用於工業 ROHM Amagi株式會社成立 1985 開發了採用最初的CPU的4位元組和8位元組微型控制器 1986 在大阪股票交易所升級至大證一部 成立研究和開發中心(LSI開發中心)開始即已ICs的開發和銷售 開始電容器的銷售 雜誌«ROHM京都博物日記I»1987 泰國...
第七節 分子束外延 一、分子束外延的特點 二、分子束外延裝置和方法 三、分子束外延的套用 第八節 離子束合成薄膜技術 一、離子束在薄膜合成中的套用 二、直接引出式離子束沉積 三、質量分離式離子束沉積 四、簇團離子束沉積 五、離子束增強沉積 參考文獻 第八章 複合表面處理和高分子表面 金屬化技術 第一節...
(1)用各種薄膜外延技術製備大尺寸晶片,這些技術包括分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和金屬有機化合物氣相澱積(MOCVD)等。特別是用MOCVD可以制出大面積、組分均勻、表面狀態好的Hg-Cd-Te薄膜,用於製備大面積焦平面陣列紅外探測器。國外用MOCVD法已製成面積大於5cm2、均勻性良好、Δx=0.2±0.005、工藝...
這所工程學院新推出的光學晶片,在同一種半導體疊層中集成了光檢測儀和放大裝置,不必採用會增加混合光感接收器製造成本的連線電線。這種晶片的電路包括一個可檢測輸入光束的P 型光電二極體和一個放大高速信號的異結雙極電晶體。這種晶片是在密執安大學固態電子實驗室採用一種半導體工業最常用的單步分子束外延生長工藝...
因量子井效應對熱電材料傳輸性質的影響,多屬於半導體的熱電材料,若經MBE(分子束外延)或CVD(化學氣相沉積)長成多層膜(或稱超晶格)的結構後,其能帶結構會因量子效應而使材料能隙加大,再加上膜與膜的界面亦會影響到樣品的熱傳導係數,故將熱電材料薄膜化後可預期會大幅改變其ZT值。例如,Koga研究團隊理論預測在...
屬於這類加工的有機械化學拋光、離子濺射和離子注入、電子束曝射、雷射束加工、金屬蒸鍍和分子束外延等。這些方法的特點是對表面層物質去除或添加的量可以作極細微的控制。但是要獲得超精密的加工精度,仍有賴於精密的加工設備和精確的控制系統,並採用超精密掩膜作中介物。例如超大規模積體電路的製版就是採用電子束對...
《核技術》2001,24(7) :585-590.[15] “LiBaF3:Eu2+ 真空紫外光譜研究”,《發光學報》,2002,23(4):393-395美國2002,137:343354 收錄 [16] “分子束外延生長ZnO薄膜及性能研究”, 《核技術》, 2003,26(1):9-12.[17] “BaFBr:Eu2+的發光及電特性研究”,《發光學報》,2003,24(4):399-402.
( 17 ) 一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法, 發明, 2014, 第 1 作者, 專利號: 201410246865.6 ( 18 ) 一種InP基中紅外InAsBi量子阱結構, 發明, 2014, 第 1 作者, 專利號: 201410247131.X ( 19 ) 一種波長擴展型InGaAs雪崩光電二極體的外延結構, 發明, 2014, 第 3 作者, 專利號: ...
2.4.2常見的PECVD的裝置和工作原理 2.4.3PECVD的工藝 2.4.4PECVD塗層的套用 2.5離子束沉積 2.5.1塗層製備中離子束的套用 2.5.2離子束輔助沉積 2.5.3低能離子束沉積 2.5.4離子簇束沉積 2.6分子束外延沉積 2.6.1分子束外延的基本原理 2.6.2分子束外延生長的裝置 2.6.3分子束外延生長的工藝 2...
——積體電路及專用裝備。自主創新與合資合作相結合,加快開發化學氣相沉積(CVD)技術與設備、高密度等離子刻蝕機、物理氣相沉積(PVD)分子束外延裝備、分布重複投影光刻機、積體電路封裝設備、光學測量設備等積體電路製造、封裝、測試裝備,補齊積體電路及專用裝備短板。——智慧型終端設備。加快開發面向金融、交通、醫療等...