顧溢，男，中國科學院大學專職教師。
基本介紹
- 中文名：顧溢
- 畢業院校：南京大學
- 學位/學歷： 博士
- 職業：教師
人物經歷,教育背景,工作經歷,主要成就,獎勵信息,專利成果,出版信息,發表論文,發表著作,
人物經歷
教育背景
2004-09--2009-06 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 博士
2000-09--2004-08 南京大學 學士
工作經歷
2018-09~現在, 中國科學院上海技術物理研究所, 研究員
2018-01~2018-09,中國科學院上海微系統與信息技術研究所, 研究員
2015-09~2016-02,英國謝菲爾德大學, 訪問學者
2012-02~2012-04,瑞典查爾姆斯理工大學, 訪問學者
2012-01~2017-12,中國科學院上海微系統與信息技術研究所, 副研究員
2009-06~2011-12,中國科學院上海微系統與信息技術研究所, 助理研究員
主要成就
獎勵信息
（1） 上海市技術發明獎, 三等獎, 省級, 2015
（2） 上海市科技進步二等獎, 二等獎, 省級, 2012
專利成果
（ 1 ） 用於雪崩光電二極體的能帶遞變倍增區結構, 發明, 2013, 第 1 作者, 專利號: ZL201010290302.9
（ 2 ） InP基截止波長大範圍可調的晶格匹配InGaAsBi探測器結構及其製備, 發明, 2013, 第 1 作者, 專利號: 2013102644206
（ 3 ） 基於免等離子工藝降低暗電流的光電探測器晶片製作方法 , 發明, 2013, 第 2 作者, 專利號: 2013100133032
（ 4 ） 利用電子阻擋層降低暗電流的InGaAs探測器及製備, 發明, 2013, 第 1 作者, 專利號: 2013100133988
（ 5 ） 一種GaAs襯底上擴展波長InGaAs探測器結構, 發明, 2013, 第 2 作者, 專利號: 2013100053803
（ 6 ） 一種降低InP基InGaAs異變材料表面粗糙度的方法, 發明, 2013, 第 1 作者, 專利號: 2013100054261
（ 7 ） 一種脈衝雷射器驅動裝置, 發明, 2013, 第 2 作者, 專利號: ZL201210071836.1
（ 8 ） 一種微型寬脈衝範圍雙波長光感基因刺激裝置, 發明, 2013, 第 2 作者, 專利號: ZL201110118258.8
（ 9 ） 一種可獲得極寬短波紅外發光譜的半導體材料及其製備方法, 發明, 2014, 第 4 作者, 專利號: 2014100521723
（ 10 ） GaAs襯底上實現1.3微米附近發光的量子阱結構及其製備方法, 發明, 2013, 第 2 作者, 專利號: 2013102644899
（ 11 ） 一種提高熱穩定性的稀鉍半導體量子阱結構及其製備方法, 發明, 2013, 第 2 作者, 專利號: 2013102644761
（ 12 ） 一種提高稀鉍半導體材料熱穩定性的方法, 發明, 2013, 第 2 作者, 專利號: 2013102644865
（ 13 ） 基於鉍元素的非矩形III-V族半導體量子阱的製備方法, 發明, 2013, 第 2 作者, 專利號: 2013102644723
（ 14 ） 一種亞微米尺寸二維介質柱型光子晶體的製備方法, 發明, 2013, 第 4 作者, 專利號: ZL201110198078.5
（ 15 ） 用於拓展In0.53Ga0.47As探測器及其陣列短波回響的材料體系及其製備, 發明, 2013, 第 1 作者, 專利號: ZL201010292223.1
（ 16 ） 一種用於高In組分InGaAs探測器的突變弛豫緩衝層, 發明, 2014, 第 2 作者, 專利號: 201410728282.7
（ 17 ） 一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法, 發明, 2014, 第 1 作者, 專利號: 201410246865.6
（ 18 ） 一種InP基中紅外InAsBi量子阱結構, 發明, 2014, 第 1 作者, 專利號: 201410247131.X
（ 19 ） 一種波長擴展型InGaAs雪崩光電二極體的外延結構, 發明, 2014, 第 3 作者, 專利號: 201410729324.9
（ 20 ） 一種結合帶間和價帶子帶間吸收的稀鉍量子阱探測器及製備方法, 發明, 2015, 第 1 作者, 專利號: 201510867591.7
（ 21 ） 一種提高稀鉍半導體材料熱穩定性的方法, 發明, 2016, 第 2 作者, 專利號: ZL2013102644865
（ 22 ） 利用電子阻擋層降低暗電流的InGaAs探測器及製備, 發明, 2015, 第 1 作者, 專利號: ZL2013100133988
（ 23 ） 基於免等離子工藝降低暗電流的光電探測器晶片製作方法, 發明, 2015, 第 2 作者, 專利號: ZL2013100133032
（ 24 ） 一種降低InP基InGaAs異變材料表面粗糙度的方法, 發明, 2016, 第 1 作者, 專利號: ZL2013100054261
（ 25 ） 一種組分遞變過渡層的氣態源分子束外延材料生長方法, 發明, 2015, 第 3 作者, 專利號: 201510952593.6
（ 26 ） 一種用於實現InGaAs光吸收波長擴展的材料結構, 發明, 2015, 第 3 作者, 專利號: 201510947270.8
（ 27 ） 一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩衝層, 發明, 2016, 第 2 作者, 專利號: 201611153882.0
（ 28 ） 一種採用低維量子點倍增層的半導體雪崩光電探測器, 發明, 2016, 第 3 作者, 專利號: 20160847176.X
（ 29 ） 一種Si(001)襯底上高In組分InGaAs探測器及其製備方法, 發明, 2016, 第 1 作者, 專利號: 201611065587.X
（ 30 ） 一種組分遞變過渡層的氣態源分子束外延材料生長方法, 發明, 2017, 第 3 作者, 專利號: ZL201510952593.6
（ 31 ） 一種用於實現InGaAs光吸收波長擴展的材料結構, 發明, 2017, 第 3 作者, 專利號: ZL201510947270.8
（ 32 ） 一種結合帶間和價帶子帶間吸收的稀鉍量子阱探測器及製備方法, 發明, 2017, 第 1 作者, 專利號: ZL201510867591.7
（ 33 ） 一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法, 發明, 2017, 第 1 作者, 專利號: ZL201410246865.6
（ 34 ） 一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩衝層, 發明, 2018, 第 2 作者, 專利號: ZL201611153882.0
（ 35 ） 一種Si(001)襯底上高In組分InGaAs探測器及其製備方法, 發明, 2018, 第 1 作者, 專利號: ZL201611065587.X
（ 36 ） 一種分子束外延中標定襯底表面實際溫度的方法, 發明, 2018, 第 1 作者, 專利號: ZL201610172703.1
出版信息
發表論文
（1） Optimization of In0.6Ga0.4As/InAs electron barrier for In0.74Ga0.26As detectors grown by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2019, 通訊作者
（2） Mid-infrared type-I InAs/In0.83Al0.17As quantum wells grown on GaP and InP by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2019, 通訊作者
（3） Growth mechanisms for InAs/GaAs QDs with and without Bi surfactants, Materials Research Express, 2019, 通訊作者
（4） Monolithically grown 2.5 μmInGaAs photodetector structures on GaP and GaP/Si (001) substrates, Materials Research Express, 2019, 通訊作者
（5） Frequency response of barrier type 2.6 μm In0.83Ga0.17As/In0.83Al0.17As photodetectors on InP, Physica Status Solidi A, 2019, 通訊作者
（6） Anomalous arsenic diffusion at InGaAs/InP interface, Materials Research Express, 2019, 通訊作者
（7） 3 μm InAs quantum well lasers at room temperature on InP, Applied Physics Letters, 2019, 通訊作者
（8） Mid-infrared emissions from In(Ga)As quantum wells grown on GaP/Si(001) substrates, AIP Advances, 2019, 通訊作者
（9） Improved performance of high indium InGaAs photodetectors with InAlAs barrier, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 通訊作者
（10） Composition uniformity characterization and improvement of AlGaAs/GaAs grown by molecular beam epitaxy, Materials Science in Semiconductor Processing, 2018, 通訊作者
（11） Wavelength extended InGaAsBi detectors with temperature-insensitive response wavelength’, Chinese Physics Letters, 2018, 第 2 作者
（12） Improved performance of In0.83Ga0.17As/InP photodetectors through modifying the position of In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier, Infrared Physics and Technology, 2018, 第 4 作者
（13） Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2018, 通訊作者
（14） Short-wave infrared InGaAs photodetectors and focal plane arrays, Chinese Physics B, 2018, 第 2 作者
（15） Correction of FTIR acquired photodetector response spectra from mid-infrared to visible bands using onsite measured instrument function, Infrared Physics and Technology, 2018, 第 4 作者
（16） Growth temperature optimization of GaAs-based In0.83Ga0.17As on InxAl1-xAs buffers, Journal of Crystal Growth, 2018, 第 2 作者
（17） In0.83Ga0.17As photodetectors with different doping concentrations in the absorption layers, Infrared Physics and Technology, 2018, 第 2 作者
（18） IGA-rule 17 for performance estimation of wavelength extending InGaAs photodetectors: validity and limitations, Applied Optics, 2018, 第 2 作者
（19） Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2018, 第 3 作者
（20） 2.25-μm Avalanche Photodiodes Using Metamorphic Absorber and Lattice-Matched Multiplier on InP, Photonics Technology Letters, 2017, 第 3 作者
（21） Analysis of dark currents and deep level traps in InP- and GaAs-based In0.83Ga0.17As photodetectors, Journal of Crystal Growth, 2017, 第 2 作者
（22） Metamorphic InAs quantum well lasers on InP substrates with different well shapes and waveguides, Journal of Crystal Growth, 2017, 第 1 作者
（23） Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications, Advanced Optical Materials, 2017, 第 3 作者
（24） An effective indicator for evaluation of wavelength extending InGaAs photodetector technologies, Infrared Physics & Technology, 2017, 第 2 作者
（25） Anisotropic strain relaxation of Si-doped metamorphic InAlAs graded buffers on InP, Journal of Physics D: Applied Physics, 2017, 第 1 作者
（26） InP-based pseudomorphic InAs/InGaAs triangular quantum well lasers with bismuth surfactant, Applied Optics, 2017, 通訊作者
（27） An effective indicator for evaluation of wavelength extending InGaAs photodetector technologies, Infrared Physics & Technology, 2017, 第 2 作者
（28） Metamorphic InAs1-xBix/In0.83Al0.17As quantum well structures on InP for mid-infrared emission, Applied Physics Letters, 2016, 第 1 作者
（29） Impact of etching on the surface leakage generation in mesa-type InGaAs/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2016, 第 3 作者
（30） InGaAsP/InP photodetectors targeting on 1.06 μm wavelength detection, Infrared Physics & Technology, 2016, 第 2 作者
（31） Effects of continuously or step-continuously graded buffer on the performance of wavelength extended InGaAs photodetectors, Journal of Crystal Growth, 2016, 第 2 作者
（32） Nearly lattice-matched short-wave infrared InGaAsBi detectors on InP, Applied Physics Letters, 2016, 第 1 作者
（33） Correction of intensity of emission spectra in a wide wave number range measured by FTIR, Journal of Infrared Millimeter and Waves, 2016, 第 4 作者
（34） InP-based type-I quantum well lasers up to 2.9 μm at 230 K in pulsed mode on a metamorphic buffer, Applied Physics Letters, 2015, 第 1 作者
（35） Carrier scattering and relaxation dynamics in n-type In0.83Ga0.17As as a function of temperature and doping density, J. Mater. Chem. C , 2015, 第 2 作者
（36） Low voltage and small gain slope InAlAs/InGaAs avalanche photodiodes with a moderate p-doped multiplication layer”, , Photonics Technology Letters , 2015, 第 3 作者
（37） Dark current suppression in metamorphic In0.83Ga0.17As photodetectors with In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier, Applied Physics Express, 2015, 第 1 作者
（38） Effects of material parameters on the temperature dependent spectral response of In0.83Ga0.17As photodetectors, Journal of Alloys and Compounds, 2015, 第 3 作者
（39） Effect of bismuth surfactant on InP-based highly strained InAs/InGaAs triangular quantum wells, Applied Physics Letters, 2015, 第 1 作者
（40） Effects of well widths and well numbers on InP-based triangular quantum well lasers beyond 2.4 µm, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 1 作者
（41） Tailoring the performances of low operating voltage InAlAs/InGaAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2015, 第 3 作者
（42） Optimization of InAlAs buffers for growth of GaAs-based high indium content InGaAs photodetectors, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 2 作者
（43） Effects of continuously graded or step-graded InxAl1-xAs buffer on the performance of InP-based In0.83Ga0.17As photodetectors, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 2 作者
（44） Correction of response spectra of quantum type photodetectors measured by FTIR, Journal of Infrared Millimeter and Waves, 2015, 第 3 作者
（45） InPBi Single Crystals Grown by Molecular Beam Epitaxy, Scientific Reports, 2014, 第 2 作者
（46） GaAs-based In0.83Ga0.17As photodetector structure grown by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2014, 第 3 作者
（47） 2.4-μm InP-based antimony-free triangular quantum well lasers in continuous-wave operation above room temperature, Applied Physics Express, 2014, 第 1 作者
（48） Structural and optical characterizations of InPBi thin films grown by molecular beam epitaxy, Nanoscale Research Letters, 2014, 第 1 作者
（49） High performance InP-based InAs triangular quantum well lasers operating beyond 2 μm, Proc. of SPIE, 2014, 第 1 作者
（50） Fabrication of column shape two dimensional photonic crystals by holographic lithography using double development, J. Infrared Millim. Waves, 2014, 第 4 作者
（51） Improved performance of 2.2 μm InAs/InGaAs QW lasers on InP by using triangular wells, IEEE Photonics Technology Letters, 2014, 第 3 作者
（52） Performance correlated defects evaluation of metamorphic InGaAs photodetector structures through plane-view EBIC, Semiconductor Science and Technology, 2014, 第 3 作者
（53） Dark current characteristics of GaAs-based 2.6 μm InGaAs photodetectors on different types of InAlAs buffer layers, Journal of Physics D: Applied Physics, 2014, 第 4 作者
（54） Type-I mid-infrared InAs/InGaAs quantum well lasers on InP-based metamorphic InAlAs buffers, Journal of Physics D: Applied Physics, 2013, 第 1 作者
（55） Effects of compositional overshoot on InP-based InAlAs metamorphic graded buffer, J. Infrared Millim. Waves, 2013, 第 2 作者
（56） InP-based InxGa1-xAs metamorphic buffers with different mismatch grading rates, Chinese Journal of Semiconductors, 2013, 第 2 作者
（57） Absorption coefficients of In0.8Ga0.2As at room temperature and 77 K, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 3 作者
（58） 2.7 μm InAs quantum well lasers on InP-based InAlAs metamorphic buffer layers, Applied Physics Letters, 2013, 第 3 作者
（59） InAs/In0.83Al0.17As quantum wells on GaAs substrate with type-I emission at 2.9 μm, Applied Physics Letters, 2013, 第 1 作者
（60） Analysis and evaluation of uniformity of SWIR InGaAs FPA-Part II: processing issues and overall effects, Infrared Physics and Technology, 2013, 第 3 作者
（61） Effects of growth temperature and buffer scheme on characteristics of InP-based metamorphic InGaAs photodetectors, Journal of Crystal Growth, 2013, 第 1 作者
（62） Performance of gas source MBE grown InAlGaAs photovoltaic detectors tailored to 1.4 um, Journal of Crystal Growth, 2013, 第 2 作者
（63） The effect of the injector doping density on lasing properties of InAlAs-InGaAs-InP quantum cascade lasers at 4.3 um, Journal of Crystal Growth, 2013, 第 3 作者
（64） High quality strain‐compensated multiple InAs/AlGaNAs quantum dot layers grown by MBE, Physica Status Solidi (c), 2013, 第 4 作者
（65） Optical properties of InGaAsBi/GaAs strained quantum wells studied by temperature‐dependent photoluminescence, Chinese Physics B, 2013, 第 1 作者
發表著作
（1） 氣態源分子束外延生長的波長擴展InGaAs探測器, Gas Source MBE Grown Wavelength Extending InGaAs Photodetectors, Intech, 2011-11, 第 2 作者
（2） 特殊波長套用的Al(Ga)InP-GaAs探測器, Al(Ga)InP-GaAs photodiodes tailored for specific wavelength range, Intech, 2012-09, 第 2 作者
（3） 套用於中紅外的稀鉍材料, Dilute Bismides for Mid-IR Applications, Springer, 2013-09, 第 2 作者
（4） InP-based antimony-free MQW lasers in 2-3 µm band, Intech, 2015-07, 第 1 作者
（5） 《半導體光譜測試方法與技術》——半導體科學與技術叢書, 科學出版社, 2016-01, 第 2 作者
（6） “Epitaxy and device properties of InGaAs photodetectors with relatively high lattice mismatch” Chapter in “Epitaxy”, Intech, 2017-11, 第 2 作者
