| 中文名稱 | 雷射輔助電漿分子束外延 |
| 英文名稱 | laser assisted plasma molecular beam epitaxy |
| 定 義 | 在分子束外延生長中，利用準分子脈衝雷射燒蝕高熔點氧化物靶，使氧化物沉積到襯底上生長薄膜的技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 雷射輔助電漿分子束外延 |
| 英文名稱 | laser assisted plasma molecular beam epitaxy |
| 定 義 | 在分子束外延生長中，利用準分子脈衝雷射燒蝕高熔點氧化物靶，使氧化物沉積到襯底上生長薄膜的技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
中文名稱 雷射輔助電漿分子束外延 英文名稱 laser assisted plasma molecular beam epitaxy 定義 在分子束外延生長中,利用準分子脈衝雷射燒蝕高熔點氧化物靶,使...
微波電漿輔助分子束外延是在分子束外延生長中,用高能量微波激勵氣體源物質輝光放電,產生活性氣體源粒子,提高生長薄膜晶體質量的技術。...
射頻電漿輔助分子束外延編輯 鎖定 討論 本詞條缺少信息欄、概述圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!中文名稱 射頻電漿輔助分子束外延 ...
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