| 中文名稱 | 射頻電漿輔助分子束外延 |
| 英文名稱 | radio frequency plasma assisted molecular beam epitaxy |
| 定 義 | 在分子束外延生長中，利用射頻高壓放電產生電漿，提供高度活性的氣態源粒子(原子、分子、離子等)，降低薄膜的生長溫度，提高生長速率的技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 射頻電漿輔助分子束外延 |
| 英文名稱 | radio frequency plasma assisted molecular beam epitaxy |
| 定 義 | 在分子束外延生長中，利用射頻高壓放電產生電漿，提供高度活性的氣態源粒子(原子、分子、離子等)，降低薄膜的生長溫度，提高生長速率的技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |