超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高真空雷射分子束外延系統
- 產地:荷蘭
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2013年11月21日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。
超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標RHEED振盪。1主要功能可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。1...
雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年5月6日啟用。技術指標 超高真空沉積腔體,本底真空優於10-9mbar雷射能量 700mJ,頻率 100 Hz。主要功能 雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(...
分子束外延,就是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出後,沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。如果設定幾個噴射爐,就可以製取多元半導體混晶,又可以同時進行摻雜。由於...
把分子束外延和脈衝雷射結合起來,發展成所謂雷射分子束外延(L-MBE)技術。它是用雷射照射靶來代替分子(原子)束源,更容易實現對蒸發過程精確的控制,顯示了比常規分子束外延更加廣闊的套用前景。分子束外延可能的套用領域由:在高溫超導...
主要設備:石墨烯CVD系統、超高真空石墨烯外延系統、分子束外延系統(MBE)、雷射分子束外延系統等。人物經歷 2001年6月獲四川大學材料學博士學位,2001.7月-2005.1先後在中科院物理研究所、台灣清華大學從事博士後研究,2005.3-2008.5...
開發包括各類控制器、精密放大器、束源爐、低溫恆溫器等在內的一批核心關鍵部件,並先後主持或核心參與研製搭建了各類真空系統十餘台套,包括掃描探針顯微鏡系統、分子束外延系統、雷射分子束外延系統、原子層沉積系統等。
Materials Studio、HFSS、Microwave Studio、ADS、L-Edit等),可滿足項目材料與薄膜電路設計的需要;薄膜製備與處理工藝平台包括射頻/直流磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統(PLD)、雷射分子束外延系統(L-MBE)、蒸發系統以及退火爐、快速晶化爐...