《雷射澱積類金剛石-金剛石膜生長過程原位光發射譜研究》是依託中國科學技術大學，由馬玉蓉擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：雷射澱積類金剛石-金剛石膜生長過程原位光發射譜研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：馬玉蓉
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：59771022
- 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
- 申請代碼：E0103
- 支持經費：11（萬元）
- 負責人職稱：教授
中文摘要
建立了一套先進的脈衝雷射澱積系統（PLD），包括進口的Nd;YAG四倍頻脈衝雷射器、超高真空樣品室和原位光發射譜診斷設備。用此設備生長出類金剛石和金剛石薄膜，用喇曼光變等方法表征所生長材料的結構和成份，研究了從類金剛石到金剛石轉變的過程，生長氣氛、襯底溫度、雷射波長和能量是造成這個轉變的主要因素。利用本裝置生長出含量超過95%的金剛石膜的最佳化條件是：氫氣分壓90到100Pa，電離偏壓700伏，襯底溫度750℃，雷射波長266納米，峰值能量60毫焦耳。用空間分辨CCD光譜儀原位檢測了生長過程氣相基團的種類及其空間分布，發現原子氫在生長表面基本上耗盡，說明原子氫用於刻蝕非金剛石成分，對金剛石成分的生長起關鍵作用。
