超高真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年7月8日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高真空薄膜沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2015年7月8日
超高真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年7月8日啟用。
高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年10月21日啟用。技術指標 極限真空度: 外延室經烘烤 ≤5*10-8Pa 進樣室經烘烤 ≤1*10-5Pa 系統漏率: 外延式漏率 2.0*10-8Pa.1...
太陽能薄膜沉積系統 太陽能薄膜沉積系統是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2009年09月28日啟用。技術指標 真空系統配置,極限壓力,恢復真空時間等指標。主要功能 製備非晶矽和微晶矽薄膜等太陽電池器件。
電子束蒸發薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、動力與電氣工程領域的計量儀器,於2015年12月23日啟用。技術指標 1.樣品規格:6″Wafer;2.設備極限真空:2#215;10-8Torr;3.電子槍規格:6坩堝,20cc,5KW電源;4.設備框架尺寸...
半導體複合薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2017年1月1日啟用。技術指標 生長室尺寸600*450mm筒形結構預處理室尺寸300*900mm,極限真空8*10-8Pa,系統漏率小於10-8Pa.L/s。主要功能 無機功能薄膜沉積。
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室,304 SS;(2)真空抽氣系統,TMH/U 521C;(3)真空測量系統,KJLC/MKS 979;(4)檢壓計,MKS 626A;(5)濺射源,...
雙室薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 立式雙室,行星夾具,分子泵機械泵真空系統。主要功能 本系統設有直流磁控濺射、射頻磁控濺射和熱蒸發法鍍膜裝置,既能獨立實現濺射鍍膜,...
UHV沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月15日啟用。技術指標 外延室極限真空度:2.8*10^-8Pa;進樣室極限真空度:0.5*10^-5Pa;真空漏率2.0*10^-8Pa.l/S;靶材最大直徑70mm,最多4塊。主要功能 ...