高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2008年10月21日啟用。
超高真空薄膜沉積系統 超高真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2015年7月8日啟用。技術指標 真空度：1*10^-4 pa。主要功能 有機薄膜沉積。
有機薄膜沉積系統是一種用於物理學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2011年12月25日啟用。技術指標 該設備主要由蒸發沉積室、手套箱、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品傳遞裝置、計算機控制系統、電控系統、配氣系統等部分組成...
太陽能薄膜電池沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年1月3日啟用。技術指標 1、腔室配置及真空系統1個預抽室，1個樣品傳遞室（配裝高真空機械手），3～6個樣品製備室；樣品製備室包括：PECVD室和PVD（磁控濺射）室...
電子束蒸發薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、動力與電氣工程領域的計量儀器，於2015年12月23日啟用。技術指標 1.樣品規格：6″Wafer；2.設備極限真空：2#215;10-8Torr；3.電子槍規格：6坩堝，20cc，5KW電源；4.設備框架尺寸...
氧化物薄膜沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2016年12月22日啟用。技術指標 1) 真空度：優於10-8 mbar 2) 薄膜監控：30 KV RHEED 3) 樣品大小：10x10 mm2 4) 襯底加熱/方式：1100 oC/雷射加熱 5) ...
半導體複合薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2017年1月1日啟用。技術指標 生長室尺寸600*450mm筒形結構預處理室尺寸300*900mm，極限真空8*10-8Pa,系統漏率小於10-8Pa.L/s。主要功能 無機功能薄膜沉積。
雙室薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標 立式雙室，行星夾具，分子泵機械泵真空系統。主要功能 本系統設有直流磁控濺射、射頻磁控濺射和熱蒸發法鍍膜裝置，既能獨立實現濺射鍍膜，...
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室，304 SS；(2)真空抽氣系統，TMH/U 521C；(3)真空測量系統，KJLC/MKS 979；(4)檢壓計，MKS 626A；(5)濺射源，...
PECVD沉積系統是一種用於動力與電氣工程、能源科學技術、計算機科學技術、化學工程領域的工藝試驗儀器，於2008年5月1日啟用。技術指標 矽薄膜沉積設備，極限真空10-6，溫度可達250 ℃。主要功能 PECVD主要是對半導體材料矽的濺射。
金屬與有機材料薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2017年3月8日啟用。技術指標 (1) 抽氣效率：40分鐘後可達≤5.0*10-6 Torr(粗抽管路至腔體在2m內)；終極壓力：12小時後可達≤ 8*10-7 Torr； (2) 基載：...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下，充入高純氬氣，採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以較好地濺 射鐵磁材料（Fe、Co、Ni），製備磁性薄膜。在...
UHV沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2009年9月15日啟用。技術指標 外延室極限真空度：2.8*10^-8Pa；進樣室極限真空度：0.5*10^-5Pa；真空漏率2.0*10^-8Pa.l/S；靶材最大直徑70mm，最多4塊。主要功能 ...
