PECVD沉積系統

PECVD沉積系統是一種用於動力與電氣工程、能源科學技術、計算機科學技術、化學工程領域的工藝試驗儀器，於2008年5月1日啟用。

基本介紹

• 中文名：PECVD沉積系統
• 產地：中國
• 學科領域：動力與電氣工程、能源科學技術、計算機科學技術、化學工程
• 啟用日期：2008年5月1日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 汽車工藝實驗設備 > 紅外線汽車排氣分析儀

技術指標

矽薄膜沉積設備，極限真空10-6，溫度可達250 ℃。

主要功能

PECVD主要是對半導體材料矽的濺射。