電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器,於2015年12月9日啟用。
基本介紹
- 中文名:電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統
- 產地:中國
- 學科領域:動力與電氣工程
- 啟用日期:2015年12月9日
- 所屬類別:工藝試驗儀器
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器,於2015年12月9日啟用。
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器,於2015年12月9日啟用。技術指標一 PECVD裝置: 1.腔體極限真空度:10-5pa;2.設備總體漏放率:關機12小時真空度≤5pa;3...
電漿化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (...
電漿化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度,均勻性,折射率,透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體...
化學氣相沉積裝置最主要的元件就是反應器。按照反應器結構上的差別,我們可以把化學氣相沉積技術分成開管/封管氣流法兩種類型:1 封管法 這種反應方式是將一定量的反應物質和集體放置於反應器的兩邊,將反應器中抽成真空, 再向其中注入...
等離子化學氣相沉積機 等離子化學氣相沉積機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2017年11月9日啟用。技術指標 氧化矽成膜速率大於400nm/min,氮化矽成膜速率大於100nm/min。主要功能 成膜。
電漿化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成...
化學氣相沉積裝置 化學氣相沉積裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年7月15日啟用。技術指標 qxcj-19。主要功能 材料性能測試。
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
等離子增強化學氣相沉積設備 等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。技術指標 高質量薄膜生長。主要功能 沉積a-Si,SiNx, SiO2薄膜。
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和...
多腔體電漿增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體,不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
化學氣相沉積設備 化學氣相沉積設備是一種用於統計學領域的分析儀器,於2007年1月1日啟用。技術指標 石墨托盤2“*6片。主要功能 化學氣相沉積設備。
射頻電漿化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用射頻電磁場產生的電漿促進化學反應降低反應溫度的化學氣相沉積技術。出處 《材料科學技術名詞》。
電漿增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負5℃;可用於沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負5%;可接入6路工藝氣體...
在電漿技術方面,主要進行多種電漿裝置的研製,包括微波電漿化學氣相沉積裝置、微波電子迴旋共振電漿化學 氣相沉積裝置、射頻電漿化學氣相沉積裝置、常壓電漿化學氣相沉積裝置以及微波源的研製工作。實驗室規模 實驗室建築...
在表面上不僅存在著通常的熱化學反應,還存在著複雜的電漿化學反應。沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下形成的。激發輝光放電的方法主要有:射頻激發,直流高壓激發,脈衝激發和微波激發。優點 電漿增強化學氣相沉積的主要優點是...
直流電漿化學氣相沉積 直流電漿化學氣相沉積,利用直流電漿激活化學反應進行的化學氣相沉積的方法。
直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定 義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體氣壓下實現長時間穩定的輝光放電,製備大尺寸厚膜的方法。套用學科 材料科學技術(...
微波電漿化學氣相沉積是使反應氣體的分子離化的微波。微波電漿 CVD (Microwave PCVD, MPCVD)將微波發生器產生的微波用波導管經隔離器進入反應器,並通入 CH4與 H2的混合氣體,在微波的激勵下,在反應室內產生輝光放電,使反應...
脈衝電漿化學氣相沉積 脈衝電漿化學氣相沉積,採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。
射頻電漿增強化學氣相沉積 射頻電漿增強化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的電漿所激活的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
CVD,APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD,LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD,UHVCVD)、雷射化學氣相沉積(Laser CVD,LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(Metal-organic CVD,MOCVD),電漿增強化學氣相沉積(...
微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積,一級套用學科:材料科學技術,二級套用學科:材料科學技術基礎。中文名稱 微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積 定 義 將電場與磁場結合運用,使電場的頻率與電子在磁場中的迴旋的頻率相匹配,即電子...
成立於1998年,為湖北省教育廳、湖北省科技廳和武漢工程大學共建省級重點實驗室。本實驗室的主要研究方向為電漿技術及其在材料中的套用。在電漿技術方面,主要進行多種電漿裝置的研製,包括微波電漿化學氣相沉積裝置、微波電子...