化學氣相沉積裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年7月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:化學氣相沉積裝置
- 產地:美國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2019年7月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器
化學氣相沉積裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年7月15日啟用。
化學氣相沉積裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年7月15日啟用。技術指標qxcj-19。1主要功能材料性能測試。1...
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器,於2015年12月9日啟用。技術指標 一 PECVD裝置: 1.腔體極限真空度:10-5pa;2.設備總體漏放率:關機12小時真空度≤5pa;3.樣品與電極間距:40~100mm線上可調;4. 150mm樣品台及基片架(帶擋板),可加熱、旋轉、升溫,加熱溫度...
化學氣相沉積裝置最主要的元件就是反應器。按照反應器結構上的差別,我們可以把化學氣相沉積技術分成開管/封管氣流法兩種類型:1 封管法 這種反應方式是將一定量的反應物質和集體放置於反應器的兩邊,將反應器中抽成真空, 再向其中注入部分輸運氣體,然後再次密封, 再控制反應器兩端的溫度使其有一定差別,它的優點...
金屬有機化合物化學氣相沉積裝置 金屬有機化合物化學氣相沉積裝置是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月8日啟用。技術指標 啟動機械泵和羅茨泵後真空室內低真空在20min內壓強低於5Pa。主要功能 各種光學薄膜元件的製備。
超高真空化學氣相沉積 超高真空化學氣相沉積,在低於10-6帕的非常低壓環境下化學氣相沉積的薄膜生長方法。其裝置主要包括:不鏽鋼生長室、靶台及加熱系統、預真空室及樣品傳送系統、生長室和預真空室各自配有真空系統、氣路系統、反射高能電子衍射(RHEED)及真空檢測系統。
基於矽基襯底的化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2016年12月8日啟用。技術指標 (1)最大樣品尺寸:Φ100mm;(2)膜厚均勻性:≤±5%;(3)膜厚重複性≤±3%;(4)樣品台升降:(勻流)板-基(片)距30-60mm;(5)極限真空:≤9.0×10-5Pa;(6)真空測量範圍...
金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)是利用金屬有機化合物進行氣相生長的一種外延方法,可製備多種化合物及多元固溶體,是外延單晶薄膜的主要手段。本設備能夠在納米尺度上精確控制外延層的厚度、組分、摻雜及異質結界面,專門用於外延生長III-V族氮化物半導體單晶薄膜材料、低維材料及由這些材料構成的發光器件和電子器件。
電漿化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度,均勻性,折射率,透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成電漿,利用低溫電漿作為能量源,通入適量的反應氣體,利用電漿...
常用的有常壓化學氣相澱積、低壓化學氣相澱積以及電漿增強化學氣相澱積等。原理 CVD是利用氣態物質在固體表面進行化學反應,生成固態沉積物的工藝過程。它一般包括三個步驟:(1)產生揮發性物質;(2)將揮發性物質輸運到沉積區;(3)於基體上發生化學反應而生成固態產物。技術分類 反應器是CVD裝置最基本的部件。根據反應...
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。技術指標 直徑450*H400mm,真空極限優於6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對基片影響小,可製備厚膜,膜層成分均勻,電漿對基片有清洗作用。主要功能 低溫成膜,溫度對基片影響小,可製備...
在沉積中,基體與電漿之間施加偏壓,誘導沉積發生在基體上,偏壓決定沉積速率,襯底偏壓500V時,沉積速率為10nm/min。沉積裝置有電容耦合和電感耦合兩種。射頻頻率般為13.56MHz。電容耦合平行極RFCVD裝置具有放電穩定和功率大的特點。可用絕緣材料作靶,鍍制陶瓷和高分子材料絕緣膜。簡介 射頻化學氣相沉積是指利用...
有機化學氣相沉積設備 有機化學氣相沉積設備是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2007年11月1日啟用。技術指標 有能夠將不同反應氣體分別送入反應室、有助於反應氣體形成良好的層流。主要功能 製備II-VI族和III-V族半導體薄膜材料。
化學氣相沉積機 化學氣相沉積機是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2012年01月03日啟用。技術指標 高溫氧化物成膜均勻性 主要功能 TFT非金屬膜成膜。
等離子增強化學氣相沉積設備 等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。技術指標 高質量薄膜生長。主要功能 沉積a-Si,SiNx, SiO2薄膜。
微波電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年7月8日啟用。技術指標 微波源N=1.5KW,f=2450MHz 連續可調。ECR離子發生器:調節微波輸出功率,磁場強度,偏壓,實現低氣壓放電;放電室:約Ф200×250(mm), 沉積室:約Ф500×500(mm)。主要功能 沉積類金剛石薄膜。管制 根據商務...
真空化學氣相沉積爐 真空化學氣相沉積爐是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2012年01月01日啟用。技術指標 2100℃ 真空度5pa。主要功能 化學氣相沉積工藝的專用設備,主要用於大尺寸複合材料試件的製備。
化學氣相沉積設備 化學氣相沉積設備是一種用於統計學領域的分析儀器,於2007年1月1日啟用。技術指標 石墨托盤2“*6片。主要功能 化學氣相沉積設備。
大尺寸高溫化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月18日啟用。技術指標 1. 系統極度真空度: 低於0.5×10 Pa 2. 加熱系統: 沉積溫度達1600 ?C以上,1600 oC持續時間不少於24小時;多段(約12段)程式控溫,升溫速率從0.1 ~20 oC /min可調。 3. 溫度控制: 有效工作區溫度...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣調節火焰形狀主燈、主燈火焰抽風罩、紅外高溫探測儀、SOOT自動去除系統、預製棒...
石墨烯化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2016年8月2日啟用。技術指標 1、全套石英器件,4條獨立控制氣路(氬氣、氫氣、高、低流量甲烷),氣體泄漏探測器。2、獨立三溫區,最高溫度1100℃,恆溫均勻性小於0.5℃。3、不小於98%面積的單層石墨烯。4、100mtorr...
低壓化學氣相沉積爐是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2014年6月1日啟用。技術指標 適用於4英寸矽片,25片每批 結構型式:三管臥式熱壁型 澱積薄膜及澱積膜均勻性優於(1500埃情況下): 澱積膜厚度: 600~20000埃 主要工藝氣體:SiH4、SiH2Cl2、NH3、PH3 其中LTO採用TEOS熱分解製備 工作溫度範圍:550~...
氯化物高溫化學氣相沉積爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年11月12日啟用。技術指標 圓筒樣品加熱: 1. 加熱方式:採用輻射電阻加熱方式(圓柱石墨筒),實現樣品的加熱。圓柱石墨筒安裝在圓筒樣品內部; 2. 樣品加熱:樣品可加熱1000 oC,控溫精度±1 oC。主要功能 氯化物高溫化學氣相沉積系統主要用於...
高溫氯化物化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月8日啟用。技術指標 1. 樣品轉動:速度15-60 轉/分鐘可調,電動控制。 2. 圓筒樣品旋轉和平移同時進行,速度可程式控制,在鍍膜過程中噴嘴不動; 3. 樣品尺寸:外徑50×內徑40×長度100 mm。主要功能 高頻加熱氯化物化學氣相沉積系統...
摻雜型金剛石化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2018年6月27日啟用。技術指標 工作電壓400V電流15A功率8kW/6kW (2.45 GHz)微波源功率/反應氣體Н2,СН4,N2,О2,Ar。主要功能 該設備包括微波發生系統、水冷系統、氣路系統、偏壓系統、微波諧振腔與電控系統,主要用於單晶、多晶、納米晶金剛石...
低壓化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2017年8月15日啟用。技術指標 1、適用於矽片尺寸及管路數:6英寸(150mm)及以下尺寸,三管系統。2、裝片數量:25片及以下。3、澱積膜種類:氮化矽、低應力氮化矽、多晶矽及低應力多晶矽、二氧化矽。4、澱積膜均勻性:氮化矽3%,低應力氮化矽5%...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底旋轉,轉速為30~60轉/分;基片加熱為700±1℃; (2) 噴淋頭分為三層結構...
氣相沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2015年4月1日啟用。技術指標 反應器配備5kW微波電源,可產生高密度電漿,可以以高生長率製備單晶薄膜;生成室配置SUS雙水冷管,以降低等離子輻射熱度;反應器內的真空壓力應達到10-5Pa以下;反應器內配備可上下升降的基片平台,電動式基片平台的升降範圍在60mm以上,...
等離子化學氣相沉積機 等離子化學氣相沉積機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2017年11月9日啟用。技術指標 氧化矽成膜速率大於400nm/min,氮化矽成膜速率大於100nm/min。主要功能 成膜。
電漿增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負5℃;可用於沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負5%;可接入6路工藝氣體;傳送腔室最終壓力小於10Pa;反應腔室最終壓力小於2Pa。主要功能 主要用於製備...
石墨烯高溫化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年9月10日啟用。技術指標 最高溫度1700攝氏度,最大樣品面積1平方厘米,可進行低壓、近常壓以及電漿增強CVD。主要功能 樣品退火,金屬、絕緣體和半導體上的石墨烯CVD生長,碳納米管生長。最大面積2英寸,當使用最...