等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。
基本介紹
- 中文名:等離子增強化學氣相沉積設備
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學、能源科學技術
- 啟用日期:2010年1月19日
等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。
等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。技術指標高質量薄膜生長。1主要功能沉積a-Si,SiNx, SiO2薄膜。1...
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。技術指標 直徑450*H400mm,真空極限優於6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對基片影響小,可製備厚膜,膜層成分...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底...
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路:N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2;清洗氣路: CF4/O2混合氣體;樣品尺寸:8英寸table,可沉積最大6英寸基片;射頻...
等離子增強化學氣相沉積系統 等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月13日啟用。技術指標 三室陣列式,室溫-350℃,常壓-10-4Pa。主要功能 沉積矽薄膜。
主要功能 採用等離子體增強化學氣相沉積技術,在光學玻璃、矽、石英以及不鏽鋼等不同襯底材料上沉積氮化矽、非晶矽和微晶矽等薄膜,用以製備非晶矽和微晶矽薄膜太陽電池器件。可廣泛套用於大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量製備。
等離子體增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負5℃;可用於沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負5%;可接入6路工藝氣體...
射頻等離子增強化學氣相沉積系統 射頻等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年12月1日啟用。技術指標 反應室口徑600mm,沉積溫度200℃,重複率小於正負2.5%,均勻性小於正負5%。主要功能 鍍Dlc薄膜。
等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月20日啟用。技術指標 根據不同材料 成膜速率10nm/min 折射率良好 均勻度偏差小於5%。主要功能 製備高介電常數、均勻、緻密的...
當前的PCVD工藝採用大直徑合成石英管代替天然水晶熔制的石英管作為襯底管,同時改進了PCVD設備特性,提高了沉積速率和沉積長度。雖然目前PCVD仍採用套管法製作大預製棒,但預製棒的套管重達好幾公斤,這就導致PCVD套管工藝從RIT[藝(採用小...
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