電漿增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器，於2019年12月6日啟用。
電漿增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器，於2019年12月6日啟用。技術指標使用襯底尺寸200mm*200mm；襯底溫度最高為350℃，溫度均勻性正負5℃；可用於沉積SiO2，SiNx薄膜；薄膜均...
等離子增強化學氣相鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年9月23日啟用。技術指標 用化學氣相沉積方法製備SiOx和SiNx薄膜，薄膜厚度均勻性優於5%。主要功能 使氣體電離為電漿後反應沉積於基片上生成薄膜的真空鍍膜設備。
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2；清洗氣路: CF4/O2混合氣體；樣品尺寸：8英寸table,可沉積最大6英寸基片；射頻...
是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法。電漿增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）技術是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後...
電漿化學氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡稱PCVD，是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成...
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統； 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室； 極限真空：10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和...
直流電漿化學氣相沉積 直流電漿化學氣相沉積，利用直流電漿激活化學反應進行的化學氣相沉積的方法。
氣相沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2015年4月1日啟用。技術指標 反應器配備5kW微波電源，可產生高密度電漿，可以以高生長率製備單晶薄膜；生成室配置SUS雙水冷管，以降低等離子輻射熱度；反應器內的真空壓力應達到10-5Pa...
-PVD (物理氣相沉積) 形式 -PECVD（電漿增強化學氣相沉積）形式 -建立複合沉積層（例如：TiN+DLC）操作簡單，電腦全自動控制沉積過程，穩定性好；工藝靈活，根據客戶具體要求，方便的對準程式進行調整，最佳化沉積層質量.；沉積前，在爐...
CVD，APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、雷射化學氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(Metal-organic CVD，MOCVD)，電漿增強化學氣相沉積（...
二、基於等離子表面工程的類金剛石塗層沉積技術介紹 基於等離子表面工程的類金剛石塗層沉積技術（PIID），是等離子增強化學氣相沉積PECVD技術的一種，該技術是美國西南研究院經過多年研製開發出來的一種新技術。利用PIID技術可以製備出類金剛石...
脈衝電漿化學氣相沉積 脈衝電漿化學氣相沉積，採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。
《氣相沉積套用技術》是2007年機械工業出版社出版的圖書，作者是王福貞，馬文存。內容簡介 本書在第1篇中全面闡述了化學氣相沉積、物理氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積的技術基礎、技術原理、新的沉積技術、工藝過程、設備配套、膜層質量...
射頻電漿化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用射頻電磁場產生的電漿促進化學反應降低反應溫度的化學氣相沉積技術。出處 《材料科學技術名詞》。
直流熱陰極電漿化學氣相沉積，材料科學技術術語。中文名稱 直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定 義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體氣壓下實現長時間...
微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積，一級套用學科：材料科學技術，二級套用學科：材料科學技術基礎。中文名稱 微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積 定 義 將電場與磁場結合運用，使電場的頻率與電子在磁場中的迴旋的頻率相匹配，即電子...
與實驗符合。對電漿化學氣相沉積提出了二元動力學理論，研究了電漿輸運過程對薄膜沉積率，質量轉換率等影響。用PCVD方法製備了薄膜並用各種探針診斷電漿參量，研究了了電漿參量對薄膜的影響。實驗與理論符合很好。
近年來發展的電漿增強化學氣相沉積法(PECVD)也是一種很好的方法，最早用於半導體材料的加工，即利用有機矽在半導體材料的基片上沉積SiO2。PECVD將沉積溫度從1000℃降到600℃以下，最低的只有300℃左右，電漿增強化學氣相沉積技術除了...
金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）系統、微波電漿增強化學氣相沉積（MPECVD）系統、電漿增強化學氣相沉積（PECVD）系統、磁控濺射系統、反應離子刻蝕機、光刻機、高精度絲網印刷機、大型高精度點膠機、高精度噴砂機、多功能鍍膜機、...
電漿去膠機；電漿增強化學氣相沉積；微波等離子化學氣相沉積；快速熱處理；氧化爐及；離子束鍍膜機 ；原子層沉積 ；電子束蒸發鍍膜；濺射鍍膜；反射式光譜膜厚儀；光譜型橢圓偏振儀；散射式掃描近場光學顯微鏡；台階儀；半導體參數...
例如，為了得到減反射薄膜材料的厚度及折射率，需要對麥克斯韋方程組進行演化及推導，演化過程晦澀難懂，理論教學效果不盡如人意；電漿增強化學氣相沉積（PECVD）設備是工業減反射鍍膜的高精尖設備，其單台價格在千萬以上，鍍膜過程使用到的...
Denton電子束蒸發鍍膜設備 Denton多靶磁控濺射鍍膜系統 HARRICK等離子清洗機 微納圖形加工設備 Zeiss Auriga場發射電子束/聚焦離子束雙束系統 測試設備 KLA-Tencor P7 台階儀 薄膜II區 薄膜沉積設備 Oxford 電漿增強化學氣相沉積系統 刻...
