脈衝電漿化學氣相沉積，採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。
脈衝電漿化學氣相沉積，採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。
脈衝電漿化學氣相沉積，採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。...
電漿化學氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡稱PCVD，是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成...
在沉積表面上不僅存在著通常的熱化學反應，還存在著複雜的電漿化學反應，沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下生長成膜。激發輝光放電的方法主要有：射頻激發，直流高壓激發，脈衝激發和微波激發。電漿增強化學氣相沉積的主要優點...
電漿化學氣相沉積是一種適合於前沿研究的薄膜製備技術也是一種用於納米技術研究的有效方法。典型的電漿化學氣相沉積套用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積各種薄膜。它可以對電路提供有效的保護和鈍化，在電子信息、納米科技、材料科學等...
它們不僅採用各種新型的加熱源，而且充分運用各種化學反應高頻電磁(脈衝、射頻、微波等)及電漿等效應來激活沉積粒子。如反應蒸鍍、反應濺射、離子束濺射、多種電漿激發的CVD等。化學氣相沉積 化學氣相沉積(簡稱CVD)是利用氣態物質在...
電漿化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度，均勻性，折射率，透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體...
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2；清洗氣路: CF4/O2混合氣體；樣品尺寸：8英寸table,可沉積最大6英寸基片；射頻...
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2011年12月19日啟用。技術指標 直徑450*H400mm，真空極限優於6.7*10-5Pa，頻率13.56MHz.低溫成，溫度對基片影響小，可製備厚膜，膜層成分...
射頻電漿化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用射頻電磁場產生的電漿促進化學反應降低反應溫度的化學氣相沉積技術。出處 《材料科學技術名詞》。
多腔體電漿增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體，不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
射頻電漿增強化學氣相沉積 射頻電漿增強化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的電漿所激活的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統； 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室； 極限真空：10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
直流熱陰極電漿化學氣相沉積，材料科學技術術語。中文名稱 直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定 義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體氣壓下實現長時間...
低溫化學氣相沉積技術(簡稱PCVD)，是作為CVD和PVD技術補充而發展起來的。具有設備簡單、工件變形小、繞PCVD技術沉積溫度＜600℃拓寬了基體材料適用範圍，鍍性能好、塗層均勻、調整成分方便等優點。既克服了HT-CVD技術沉積溫度高，對基體材料...
導致空洞產生。同時，由於計算條件所限，現在所採用的脈衝周期與納米顆粒以及前驅物的時間尺度相比還不夠長，脈衝調製對納米顆粒生長大小作用還不顯著。我們開發的混合模型以及模擬結果對電漿化學氣相沉積和納米材料生產有參考價值。
4.3.5脈衝直流電漿增強化學氣相沉積（脈衝DC—PECVD）4.3.6射頻電漿增強化學氣相沉積（RF—PECVD）4.3.7微波電漿增強化學氣相沉積（MW—PECVD）4.3.8電子迴旋共振電漿增強化學氣相沉積（ECR—PECVD）參考文獻 第5章...
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2，SiN，a-Si；厚度範圍10nm~1μm；均勻性10%。主要功能 低溫工藝，可在溫室下進行SiO2澱積。
《石墨片及其複合體系的電子結構調製與功能化研究》是依託吉林大學，由鄭偉濤擔任項目負責人的重點項目。項目摘要 利用脈衝雷射沉積和電漿化學氣相沉積技術製備單層、雙層和多層石墨片二維材料，通過摻雜、複合等手段對其電子結構進行調製，...
用高能雷射束射向石墨靶面，蒸發出的碳原子在脈衝電流作用下產生電弧，形成的離子轟擊基體並沉積成膜。雷射電弧法的沉積速度高，膜的含氫量低。化學氣相沉積(CVD)化學氣相沉積的主要方法有金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)，電漿輔助化學...
1979年首次成功採用脈衝電漿技術在低溫低壓下製備崩c—BN薄膜。20世紀90年代末，人們已能夠運用多種物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）的方法製備c-BN薄膜。從中國國內看，發展突飛猛進，1963年開始BN粉末的研究，1966年研製...
《(TiAl)N/Si3N4納米複合超硬薄膜的穩定性研究》是依託西安交通大學，由馬勝利擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 基於納米複合超硬薄膜微觀結構設計思想及其最佳化方案，掌握脈衝直流電漿輔助化學氣相沉積製備nc-(TiAl)N/α-Si3N4...
技術 4.2.3 直流電漿增強化學氣相沉積技術 4.2.4 脈衝直流電漿化學氣相沉積技術 4.3 雷射化學氣相沉積（LCVD）技術 第5章 薄膜物理氣相沉積技術 第6章 表面複合離子處理技術 第7章 材料表面微細加工技術 參考文獻 ...
1979年Sokolowski卜引首次成功採用脈衝電漿技術在低溫低壓卜製備崩c—BN薄膜。20世紀90年代末，人們已能夠運用多種物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)的方法製備c—BN薄膜。從中國國內看,發展突飛猛進，1963年開始BN粉末的研究,1966...
在理論的預言下，人們採用各種手段試圖在實驗室合成出這種新的低密度高硬度的非極性共價鍵化合物，常用的製備方法有震盪波壓縮、高壓熱解、離子注入、反應濺射、電漿化學氣相沉積、電化學沉積、離子束沉積、低能離子輻射、脈衝電弧放電和...
由於這些硬質膜是化合物膜或碳氮化硼的特殊結構，需利用熱能和電漿能量提高沉積粒子的能量。製備原理 製備硬質膜的技術有化學氣相沉積(CVD))法、電漿化學氣相沉積( PCVD )法、磁控濺射法、輝光放電離子鍍法、弧光放電離子鍍法、...
5.3氣相沉積技術製備薄膜 5.3.1電漿增強化學氣相沉積 （PECVD）技術 5.3.2PECVD過程的動力學 5.3.3PECVD裝置 5.3.4PECVD技術製備薄膜材料 思考題 第6章 熱噴塗與堆焊 第7章 化學熱處理 第8章 熱浸鍍 第9章 高能束表面...