多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:多腔體電漿增強化學氣相沉積
- 產地:英國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2012年11月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 化工、製藥工藝實驗設備 > 化學反應工藝實驗設備
多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。
多腔體電漿增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體,不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
電漿化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底...
《氣相沉積套用技術》是2007年機械工業出版社出版的圖書,作者是王福貞,馬文存。內容簡介 本書在第1篇中全面闡述了化學氣相沉積、物理氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積的技術基礎、技術原理、新的沉積技術、工藝過程、設備配套、膜層質量...
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。技術指標 直徑450*H400mm,真空極限優於6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對基片影響小,可製備厚膜,膜層成分...
CVD,APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD,LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD,UHVCVD)、雷射化學氣相沉積(Laser CVD,LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(Metal-organic CVD,MOCVD),電漿增強化學氣相沉積(...
主要功能 採用電漿增強化學氣相沉積技術,在光學玻璃、矽、石英以及不鏽鋼等不同襯底材料上沉積氮化矽、非晶矽和微晶矽等薄膜,用以製備非晶矽和微晶矽薄膜太陽電池器件。可廣泛套用於大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量製備。
等離子增強化學氣相沉積系統 等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月13日啟用。技術指標 三室陣列式,室溫-350℃,常壓-10-4Pa。主要功能 沉積矽薄膜。
等離子增強化學氣相沉積設備 等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。技術指標 高質量薄膜生長。主要功能 沉積a-Si,SiNx, SiO2薄膜。
化學氣相沉積通常需要在較高的溫度下進行,對於一些膜的製備就要受到限制。因此,人們常在反應室內採用一些物理手段來激活化學反應,使反應能在較低溫度下快速進行。電漿增強化學氣相沉積(PECVD)PECVD(plasma enhanced chemical vapor ...
電漿增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負5℃;可用於沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負5%;可接入6路工藝氣體...
從實際套用角度闡述低溫電漿在表面強化領域的套用。首先對低溫電漿的本質、不同電漿源的特性進行了探討,然後介紹電漿輔助物理氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積、電漿輔助熱處理、電漿浸沒離子注入與沉積、電弧噴塗、...
全自動電漿增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
電漿增強化學氣相沉積工藝用覆膜石英管 《電漿增強化學氣相沉積工藝用覆膜石英管》是2015年4月1日實施的一項行業標準。起草人 張葆青、白鳳茹等。起草單位 上海強華石英有限公司、久智光電子材料科技有限公司等。
電漿化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度,均勻性,折射率,透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體...