電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2；清洗氣路: CF4/O2混合氣體；樣品尺寸：8英寸table,可沉積最大6英寸基片；射頻源：高頻: 13.56 MHz,低頻: 50-450 kHz；控溫範圍： 室溫至400℃；沉積材料...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥，截流閥連續可調，控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm，襯底旋轉，轉速為30～60轉/分;基片加熱為700±1℃; （2） 噴淋頭分為三層結構...
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源（RF）、空心陰極高密度電漿源（HCD）、感應耦合電漿源(ICP)或微波電漿源, VHF（甚高頻）電源 襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑 帶RF偏壓的襯底托； 加熱溫度:最高800°C...
電漿化學氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡稱PCVD，是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成電漿，利用低溫電漿作為能量源，通入適量的反應氣體，利用電漿放電，...
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3（氬電漿）的等離子密度； 其下電極可容納直徑最大8 寸的晶圓，碎片可由載片器裝載； 工藝溫度控制在20°C 到400°C 之間...
等離子增強化學氣相沉積系統 等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2012年12月13日啟用。技術指標 三室陣列式，室溫-350℃，常壓-10-4Pa。主要功能 沉積矽薄膜。
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統 感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2，SiN，a-Si；厚度範圍10nm~1μm；均勻性10%。主要功能 低溫工藝，可在溫室下進行SiO2澱積。
全自動電漿增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
電漿化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (measured at 632.8nm) 1.46 (control 1.46-1.50)折射率均一性 ? 0.05 (200...
微波電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年7月8日啟用。技術指標 微波源N=1.5KW,f=2450MHz 連續可調。ECR離子發生器：調節微波輸出功率，磁場強度，偏壓，實現低氣壓放電；放電室：約Ф200×250（mm）， 沉積室：約Ф500×500（mm）。主要功能 沉積類金剛石薄膜。管制 根據商務...
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2011年12月19日啟用。技術指標 直徑450*H400mm，真空極限優於6.7*10-5Pa，頻率13.56MHz.低溫成，溫度對基片影響小，可製備厚膜，膜層成分均勻，電漿對基片有清洗作用。主要功能 低溫成膜，溫度對基片影響小，可製備...
射頻電漿增強化學氣相沉積 射頻電漿增強化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的電漿所激活的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
多腔體電漿增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體，不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
電漿增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器，於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm；襯底溫度最高為350℃，溫度均勻性正負5℃；可用於沉積SiO2，SiNx薄膜；薄膜均勻性正負5%；可接入6路工藝氣體；傳送腔室最終壓力小於10Pa；反應腔室最終壓力小於2Pa。主要功能 主要用於製備...
直流電漿化學氣相沉積 直流電漿化學氣相沉積，利用直流電漿激活化學反應進行的化學氣相沉積的方法。
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器，於2015年12月9日啟用。技術指標 一 PECVD裝置： 1.腔體極限真空度：10-5pa；2.設備總體漏放率：關機12小時真空度≤5pa；3.樣品與電極間距：40~100mm線上可調；4. 150mm樣品台及基片架（帶擋板），可加熱、旋轉、升溫，加熱溫度...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和600W各一台 氣路系統：不低於6路 刻蝕均勻性：≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
射頻電漿化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用射頻電磁場產生的電漿促進化學反應降低反應溫度的化學氣相沉積技術。出處 《材料科學技術名詞》。
(2)將揮發性物質輸運到沉積區;(3)於基體上發生化學反應而生成固態產物。技術分類 反應器是CVD裝置最基本的部件。根據反應器結構的不同,可將CVD技術分為開管氣流法和封管氣流法兩種基本類型。封管法 這種反應系統是把一定量的反應物和適當的基體分別放在反應器的兩端,管內抽真空後充入一定量的輸運氣體,然後密封,...
脈衝電漿化學氣相沉積 脈衝電漿化學氣相沉積，採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。
微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積，一級套用學科：材料科學技術，二級套用學科：材料科學技術基礎。中文名稱 微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積 定 義 將電場與磁場結合運用，使電場的頻率與電子在磁場中的迴旋的頻率相匹配，即電子迴旋共振方法產生電漿的化學氣相沉積方法。套用學科 材料科學技術（一級學科）...
甚高頻電漿化學氣相沉積系統 甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統； 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室； 極限真空：10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si、nc-SiGe、Ge量子點、AZO、ITO 薄膜。
PECVD薄膜沉積虛擬仿真實驗對電漿增強化學氣相沉積微觀機理以虛擬動畫形象展示，使學生對微米、納米級抽象的物理效應和實際的半導體器件和工藝之間的聯繫建立聯繫，提高了學生理論知識的綜合理解能力，理解工藝對半導體器件特性及電路系統集成的極限影響,提高理論水平。(4)使學生理解實驗套用工程項目場景，具備初步工程...
直流熱陰極電漿化學氣相沉積，材料科學技術術語。中文名稱 直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定 義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體氣壓下實現長時間穩定的輝光放電，製備大尺寸厚膜的方法。套用學科 材料科學技術（一級學科），材料...
等離子化學氣相沉積機 等離子化學氣相沉積機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2017年11月9日啟用。技術指標 氧化矽成膜速率大於400nm/min，氮化矽成膜速率大於100nm/min。主要功能 成膜。
6 電漿增強化學氣相沉積塗層組織特徵 6.1電漿增強化學氣相沉積塗層類型 6.2電漿增強化學氣相沉積塗層組織特徵 參考文獻 第5章 氣相沉積設備 1 化學氣相沉積設備系統 1.1 CVD塗層設備系統主要技術指標 1.2 CVD塗層設備系統各部分功能及設計要求 1.3典型生產用CVD塗層設備 2 電漿增強低溫化學氣相沉積...
電漿增強化學氣相沉積工藝用覆膜石英管 《電漿增強化學氣相沉積工藝用覆膜石英管》是2015年4月1日實施的一項行業標準。起草人 張葆青、白鳳茹等。起草單位 上海強華石英有限公司、久智光電子材料科技有限公司等。
利用高頻電源輝光放電產生電漿對化學氣相沉積過程施加影響的技術。由於電漿存在，促進氣體分子的分解、化合、激發和電離，促進反應活性基團的生成，從而降低沉積溫度。PECVD在200℃～500℃範圍內成膜，遠小於其它CVD在700℃～950℃範圍內成膜。反應過程中有大量的氫離子注入到矽片中，使矽片中懸掛鍵飽和、缺陷...
類金剛石碳膜（Diamond-like carbon films，簡稱DLC膜）作為新型的硬質薄膜材料具有一系列優異的性能，如高硬度、高耐磨性、高熱導率、高電阻率、良好的光學透明性、化學惰性等，可廣泛用於機械、電子、光學、熱學、聲學、醫學等領域，具有良好的套用前景。我們開發了電漿-離子束源增強沉積系統，並同過該系統中的...
