等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年6月30日啟用。
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年6月30日啟用。技術指標等粒子源: 射頻淋浴源（RF）、空心陰極高密度電漿源（HCD）、感應耦合電漿源(ICP)或微波電漿源, ...
電漿增強化學沉積系統是一種用於化學、物理學、材料科學領域的儀器，於2018年11月07日啟用。技術指標 二氧化矽沉積 1.厚度：2μm 2.沉積速率：30nm/min 3.均勻性：�3% 4.重複性：�3% 5.折射率：1.46�0.02 6.折射...
電漿增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2015年7月1日啟用。技術指標 300W,13.56MHz高頻源；500W,50kHz-460kHz 低頻源；反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%，重複...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥，截流閥連續可調，控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm，襯底...
電漿增強化學汽相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2013年7月1日啟用。技術指標 1. 沉積室要能在面積為125× 125mm2的基片上用 2.沉積室極限真空達6.6×10-5Pa ，工作真空：13-1300Pa 3.配氣...
全自動等離子體增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
感應耦合式等離子體增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2，SiN，a-Si；厚度範圍10nm~1μm；均勻性10%。主要功能 低溫工藝，可在溫室下進行SiO2澱積。
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3（氬電漿）的等離子密度； 其下電極可容納直徑...
射頻等離子體化學氣相沉積是電漿增強化學氣相沉積技術中的一種，其特點在於電漿是高真空度下氣體在射頻交變電場的作用下發生電離而產生。根據射頻電場耦台形式的不同，可以分為射頻感應耦合斌和射頻電容耦合式。原理及特點 原理是在...
等離子增強型原子層沉積系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月22日啟用。技術指標 原位檢測膜厚 原位質譜檢測 紅外光譜分析。主要功能 製備高溫超導用塗層、氧化物介電薄膜及氮化物薄膜材料等。如Al2...
等離子體增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器，於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm；襯底溫度最高為350℃，溫度均勻性正負5℃；可用於沉積SiO2，SiNx薄膜；薄膜均勻性正負5%；可接入6路工藝氣體...
雙腔型等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學、化學領域的工藝試驗儀器，於2017年6月29日啟用。技術指標 由熱型和等離子反應腔組成的的兩個獨立的真空反應腔室組成。主要功能 常見氧化物，氮化物以及貴金屬單質薄膜的沉積。
射頻等離子體增強化學氣相沉積 射頻電漿增強化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的電漿所激活的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
等離子增強原子層沉積系統 等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器，於2015年08月28日啟用。技術指標 膜厚納米級，誤差小於正負1%。主要功能 等離子增強原子層沉積系統。
等離子體化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和...
等離子體增強型原子層澱積系統 電漿增強型原子層澱積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2015年12月11日啟用。技術指標 反應腔：24cm/8/加熱溫度：25-400℃。主要功能 等離子態分析。
等離子體化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器，於2015年12月9日啟用。技術指標 一 PECVD裝置： 1.腔體極限真空度：10-5pa；2.設備總體漏放率：關機12小時真空度≤5pa；3.樣品與電極間距：40~100...
等離子體化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度，均勻性，折射率，透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體...
等離子體增強原子層沉積系統 電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器，於2017年10月24日啟用。技術指標 Savannah G2 s200。主要功能 測量用。
甚高頻等離子體化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統； 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室； 極限真空：10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
微波等離子體化學汽相沉積系統 微波電漿化學汽相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月12日啟用。技術指標 微波功率6kw。主要功能 超寬頻隙半導體材料生長。
