電漿增強化學沉積系統是一種用於化學、物理學、材料科學領域的儀器，於2018年11月07日啟用。
電漿增強化學沉積系統是一種用於化學、物理學、材料科學領域的儀器，於2018年11月07日啟用。技術指標 二氧化矽沉積 1.厚度：2μm 2.沉積速率：30nm/min 3.均勻性：�3% 4.重複性：�3% 5.折射率：1.46�0.02 6.折射...
電漿增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2015年7月1日啟用。技術指標 300W,13.56MHz高頻源；500W,50kHz-460kHz 低頻源；反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%，重複...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥，截流閥連續可調，控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm，襯底...
是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法。電漿增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）技術是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後...
電漿增強化學汽相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2013年7月1日啟用。技術指標 1. 沉積室要能在面積為125× 125mm2的基片上用 2.沉積室極限真空達6.6×10-5Pa ，工作真空：13-1300Pa 3.配氣...
等離子增強化學氣相沉積系統 等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2012年12月13日啟用。技術指標 三室陣列式，室溫-350℃，常壓-10-4Pa。主要功能 沉積矽薄膜。
全自動電漿增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2，SiN，a-Si；厚度範圍10nm~1μm；均勻性10%。主要功能 低溫工藝，可在溫室下進行SiO2澱積。
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3（氬電漿）的等離子密度； 其下電極可容納直徑...
射頻電漿化學氣相沉積是電漿增強化學氣相沉積技術中的一種，其特點在於電漿是高真空度下氣體在射頻交變電場的作用下發生電離而產生。根據射頻電場耦台形式的不同，可以分為射頻感應耦合斌和射頻電容耦合式。原理及特點 原理是在...
等離子增強型原子層沉積系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月22日啟用。技術指標 原位檢測膜厚 原位質譜檢測 紅外光譜分析。主要功能 製備高溫超導用塗層、氧化物介電薄膜及氮化物薄膜材料等。如Al2...
等離子增強原子層沉積系統 等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器，於2015年08月28日啟用。技術指標 膜厚納米級，誤差小於正負1%。主要功能 等離子增強原子層沉積系統。
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器，於2015年12月9日啟用。技術指標 一 PECVD裝置： 1.腔體極限真空度：10-5pa；2.設備總體漏放率：關機12小時真空度≤5pa；3.樣品與電極間距：40~100...
電漿化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度，均勻性，折射率，透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和...
電漿化學氣相澱積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2014年02月28日啟用。技術指標 反應室數量為雙室，極限真空為2.0×10-5Pa（環境濕度≤55%），最大樣品尺寸為φ300mm，澱積不均勻性為≤±5％（φ...
其特點是在全真空下連續沉積無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩衝層，樣品不用離開真空系統，沉積過程中不排放任何有毒廢液，能連續化、大面積、快速地製備出緩衝層，大大減少緩衝層的製備時間，非常有利連續化工業化生產，因此本研究的工藝路線...
PECVD薄膜沉積虛擬仿真實驗對電漿增強化學氣相沉積微觀機理以虛擬動畫形象展示，使學生對微米、納米級抽象的物理效應和實際的半導體器件和工藝之間的聯繫建立聯繫，提高了學生理論知識的綜合理解能力，理解工藝對半導體器件特性及電路系統集成...
電漿增強原子層沉積系統 電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器，於2017年10月24日啟用。技術指標 Savannah G2 s200。主要功能 測量用。
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統； 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室； 極限真空：10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
等離子化學氣相沉積機 等離子化學氣相沉積機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2017年11月9日啟用。技術指標 氧化矽成膜速率大於400nm/min，氮化矽成膜速率大於100nm/min。主要功能 成膜。
射頻電漿化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用射頻電磁場產生的電漿促進化學反應降低反應溫度的化學氣相沉積技術。出處 《材料科學技術名詞》。
微波電漿化學汽相沉積系統 微波電漿化學汽相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月12日啟用。技術指標 微波功率6kw。主要功能 超寬頻隙半導體材料生長。
微波等離子化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年4月9日啟用。技術指標 本儀器最大管壓：60kV，最大管流：55mA，最大功率：2.2kW（Cu靶），角度重現性： ±0.0001度，掃描方式：θ/θ掃描方式，探測器：X`...
我們開發了電漿-離子束源增強沉積系統，並同過該系統中的磁過濾真空陰極弧和非平衡磁控濺射來進行DLC膜的開發。該項技術廣泛用於電子、裝飾、宇航、機械和信息等領域，用於摩擦、光學功能等用途。我國技術正處於發展和完善階段，有巨大...
