微波電漿化學汽相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月12日啟用。
基本介紹
- 中文名:微波電漿化學汽相沉積系統
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2015年1月12日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
微波電漿化學汽相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月12日啟用。
微波電漿化學氣相沉積是使反應氣體的分子離化的微波。微波電漿 CVD (Microwave PCVD, MPCVD)將微波發生器產生的微波用波導管經隔離器進入反應器,並通入 CH4與 H2的混合氣體,在微波的激勵下,在反應室內產生輝光放電,使反應氣體的分子離化,產生電漿,在襯底上沉積得到金剛石膜。
電漿化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (measured at 632.8nm) 1.46 (control 1.46-1.50)折射率均一性 ? 0.05 (200...
電漿化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。按產生電漿的方法,分為射頻電漿、直流電漿和微波電漿CVD等。簡介 電漿化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活...
微波化學氣相沉積系統 微波化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年8月12日啟用。技術指標 微波功率5kW。主要功能 超寬頻隙半導體材料生長。
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器,於2015年12月9日啟用。技術指標 一 PECVD裝置: 1.腔體極限真空度:10-5pa;2.設備總體漏放率:關機12小時真空度≤5pa;3.樣品與電極間距:40~100mm線上可調;4. 150mm樣品台及基片架(帶擋板),可加熱、旋轉、升溫,加熱溫度...
微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積,一級套用學科:材料科學技術,二級套用學科:材料科學技術基礎。中文名稱 微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積 定 義 將電場與磁場結合運用,使電場的頻率與電子在磁場中的迴旋的頻率相匹配,即電子迴旋共振方法產生電漿的化學氣相沉積方法。套用學科 材料科學技術(一級學科)...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和600W各一台 氣路系統:不低於6路 刻蝕均勻性:≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣調節火焰形狀主燈、主燈火焰抽風罩、紅外高溫探測儀、SOOT自動去除系統、預製棒...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底旋轉,轉速為30~60轉/分;基片加熱為700±1℃; (2) 噴淋頭分為三層結構...
(3)在固體上產生化學反應並產生固態物質 。最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等幾種。特點 1)在中溫或高溫下,通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。2)可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好)。3)採用等離子和...
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰極高密度電漿源(HCD)、感應耦合電漿源(ICP)或微波電漿源, VHF(甚高頻)電源 襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑 帶RF偏壓的襯底托; 加熱溫度:最高800°C...
5.3.4電漿甲烷常壓偶聯反應的光譜分析98 參考文獻104 6微波放電電漿技術與套用106 6.1微波電漿原理106 6.1.1微波在電漿中的傳播特性107 6.1.2微波電漿的電子能量吸收的計算109 6.2微波電漿化學氣相沉積系統112 6.2.1微波電漿化學氣相沉積系統112 6.2.2溶膠霧化微波電漿化學...
全自動電漿增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
甚高頻電漿化學氣相沉積系統 甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si、nc-SiGe、Ge量子點、AZO、ITO 薄膜。
10.4微波電漿化學反應器 10.4.1表面波器件——Surfatron微波電漿反應器 10.4.2微波傳輸線電漿化學反應器 10.4.3電子迴旋共振微波電漿反應器 參考文獻 第十一章微波電漿合成化學 11.1微波電漿化學氣相沉積(MPECVD)11.1.1MPECVD法製備金剛石 11.1.2MPECVD法製備β?SiC,Co和BN薄膜 1...
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統 感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
2. 採用物理氣相沉積和化學氣相沉積系統中基於金剛石膜過渡層沉積cBN塗層,研究了襯底偏壓、反應氣體組分等對cBN沉積的影響。研究了基於氟化學的cBN化學氣相沉積機理,本項目在微波電漿化學氣相沉積系統中基於摻硼金剛石過渡層在Si3N4刀具基體上成果製備了低應力高純度的cBN塗層。cBN塗層厚度3μm,殘餘應力1.5GPa...
(3)薄膜沉積和刻蝕過程和機理研究。如放電電漿中的各種反應基團的行為和分布;薄膜沉積,團蔟、納米顆粒的形成機理;器壁對基團和材料合成的效應等。實驗室-設備 經過近10年的建設和運行,實驗室擁有了多種薄膜材料製備設備,如微波ECR電漿化學氣相沉積系統、雙頻RF-CCP/ICP化學氣相沉積系統、多靶磁控濺射...
2007年,征世科技率先突破了全球領先的微波電漿化學氣相沉積法(MPCVD),極大提高了產品的品質、產能和火彩。2009年,研發了實驗室培育CVD原石鑽胚,工業用金剛石原石;2013年,培育出首飾級CVD單晶金剛石。2014年,上海征世科技股份有限公司正式註冊投產。2021年5月,2021年青浦科技節在長三角金融產業園報告廳舉行,...