化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。
基本介紹
- 中文名:化學氣相沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2011年11月28日
- 所屬類別:電子測量儀器 > 通用電子測量儀器
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統...
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新...
廣義上講,化學氣相沉積反應器的設計可分成常壓式和低壓式,熱壁式和冷壁式。常壓式反應器運行的缺點是需要大流量攜載氣體、大尺寸設備,膜被污染的程度高;而低壓化學氣相沉積系統可以除去攜載氣體並在低壓下只使用少量反應氣體,此時,...
電漿化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (...
低溫化學氣相沉積技術工藝過程是: 經清洗後的待處理物件,按要求擺放在不鏽鋼製造的盛物框上,放人沉積室並接好電源,罩上沉積室。系統經檢漏密封合格後,通人H恢復常壓。再罩上加熱爐對沉積室進行加熱。當工件溫度升至規定沉積溫度後...
低壓化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2017年8月15日啟用。技術指標 1、適用於矽片尺寸及管路數:6英寸(150mm)及以下尺寸,三管系統。2、裝片數量:25片及以下。3、澱積膜種類:氮化矽、低應力氮化矽...
化學氣相沉積監測系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 BOL-10000|| ||LED光源,波長405nm,950nm和1050nm測量溫度範圍500-1200°C,精度+-1K940反射率測量精度+-0.2%。主要功能 線上的溫度...
金屬有機物化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年7月1日啟用。技術指標 運行穩定:0-1200C;轉速:0-600RPM;樣品托盤:3*2;生長源氣:TMGa,TMAl,TMIn,CP2Mg,SiH4,NH3。主要功能 生長III-V族化合物...
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底...
金屬有機化學氣相沉積系統 金屬有機化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年3月20日啟用。技術指標 分子泵,超淨間。主要功能 蝕刻。
高溫氯化物化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月8日啟用。技術指標 1. 樣品轉動:速度15-60 轉/分鐘可調,電動控制。 2. 圓筒樣品旋轉和平移同時進行,速度可程式控制,在鍍膜過程中噴嘴不動; 3. ...
摻雜型金剛石化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2018年6月27日啟用。技術指標 工作電壓400V電流15A功率8kW/6kW (2.45 GHz)微波源功率/反應氣體Н2,СН4,N2,О2,Ar。主要功能 該設備包括微波發生系統、水冷系統...
光化學氣相沉積(Photo-CVD)是於20世紀80年代初期發展起來的低溫成膜工藝。所謂光化學氣相沉積(Photo-CVD)是將光能引入化學氣相沉積系統,使參與化學反應的源氣體分子對光子進行選擇性吸收,通過反應劑分子的氣相光分解,表面光分解,光敏化...
石墨烯化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2016年8月2日啟用。技術指標 1、全套石英器件,4條獨立控制氣路(氬氣、氫氣、高、低流量甲烷),氣體泄漏探測器。2、獨立三溫區,最高溫度...
微波化學氣相沉積系統 微波化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年8月12日啟用。技術指標 微波功率5kW。主要功能 超寬頻隙半導體材料生長。
全自動電漿增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
低壓化學氣相沉積生長系統 低壓化學氣相沉積生長系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2017年1月17日啟用。技術指標 1.設備類型。主要功能 製備各種碳材料薄膜。
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器,於2015年12月9日啟用。技術指標 一 PECVD裝置: 1.腔體極限真空度:10-5pa;2.設備總體漏放率:關機12小時真空度≤5pa;3.樣品與電極間距:40~100...
電漿化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。按產生電漿的方法,分為射頻電漿、直流電漿和微波電漿CVD等。簡介 電漿...