金屬有機物化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年7月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:金屬有機物化學氣相沉積系統
- 產地:英國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2006年7月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
金屬有機物化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年7月1日啟用。
有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ,是在基板上成長 半導體 薄膜的一種方法。簡介 有機金屬化合物化學氣相沉積法簡稱MOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或有機金屬化合物氣相外延法...
金屬有機物化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年7月1日啟用。技術指標 運行穩定:0-1200C;轉速:0-600RPM;樣品托盤:3*2;生長源氣:TMGa,TMAl,TMIn,CP2Mg,SiH4,NH3。主要功能 生長III-V族化合物...
化學氣相沉積法最常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層,最開始它是用於製備矽的,後來又製備出了外延化合物半導體層。它在金屬單晶薄膜的製備上也比較常見(比如製備 W、Mo、Pt、Ir 等)以及個別的化合物單晶薄膜(例如...
金屬有機化學氣相沉積系統 金屬有機化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年3月20日啟用。技術指標 分子泵,超淨間。主要功能 蝕刻。
有機化學氣相沉積設備 有機化學氣相沉積設備是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2007年11月1日啟用。技術指標 有能夠將不同反應氣體分別送入反應室、有助於反應氣體形成良好的層流。主要功能 製備II-VI族和III-V族半導體薄膜材料。
化學氣相沉積設備 化學氣相沉積設備是一種用於統計學領域的分析儀器,於2007年1月1日啟用。技術指標 石墨托盤2“*6片。主要功能 化學氣相沉積設備。
金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)MOCVD 是一種先進的外延生長技術,是用氫氣將金屬有機化合物蒸氣和氣態非金屬氫化物經過開關網路送入反應室加熱的襯底上,通過熱分解反應最終在襯底上生長出外延層的技術。MOCVD 是在常壓或低壓下生長的,...
WL2040鋁絲壓焊機、OPTI CAOT 22i噴塗膠機系統、ZSH406全自動劃片機、DQ-500等離子去膠機、全自動清洗甩乾機、AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-3X...
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《半導體晶片製造技術》全面系統地介紹了半導體晶片製造技術,內容包括半導體晶片製造概述、多晶半導體的製備、單晶半導體的製備、晶圓製備、薄膜製備、金屬有機物化學氣相沉積、光刻、刻蝕、摻雜及封裝。書中簡要介紹了半導體晶片製造的基本理論...