化學氣相沉積設備是一種用於統計學領域的分析儀器,於2007年1月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:化學氣相沉積設備
- 產地:德國
- 學科領域:統計學
- 啟用日期:2007年1月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器
化學氣相沉積設備是一種用於統計學領域的分析儀器,於2007年1月1日啟用。
化學氣相沉積設備是一種用於統計學領域的分析儀器,於2007年1月1日啟用。技術指標石墨托盤2“*6片。1主要功能化學氣相沉積設備。1...
氣相沉積爐為沉積爐主體內有加熱室,水冷電極,測溫熱電偶,是處理工件的核心部分。前言 氣相沉積爐計算機控制系統使用說明書 圖1為本控制系統對應的實際工作組成部件 ⑴ 為沉積爐主體內有加熱室,水冷電極,測溫熱電偶,是處理工件的核心...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣...
氣相沉積儀是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年7月5日啟用。技術指標 成膜範圍直徑大於200mm,基板溫度低至300度,可以使用不少於4種工藝氣體成膜,沉積及清洗過程控制數位化、自動化,成膜質量穩定。射頻源:13.56MHZ 氣...
真空化學氣相沉積爐 真空化學氣相沉積爐是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2012年01月01日啟用。技術指標 2100℃ 真空度5pa。主要功能 化學氣相沉積工藝的專用設備,主要用於大尺寸複合材料試件的製備。
有機化學氣相沉積設備 有機化學氣相沉積設備是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2007年11月1日啟用。技術指標 有能夠將不同反應氣體分別送入反應室、有助於反應氣體形成良好的層流。主要功能 製備II-VI族和III-V族半導體薄膜材料。
電漿化學氣相沉積裝置及診斷系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器,於2015年12月9日啟用。技術指標 一 PECVD裝置: 1.腔體極限真空度:10-5pa;2.設備總體漏放率:關機12小時真空度≤5pa;3.樣品與電極間距:40~100...
大尺寸高溫化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月18日啟用。技術指標 1. 系統極度真空度: 低於0.5×10 Pa 2. 加熱系統: 沉積溫度達1600 ?C以上,1600 oC持續時間不少於24小時;多段(約12段)...
金屬有機化合物化學氣相沉積裝置 金屬有機化合物化學氣相沉積裝置是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月8日啟用。技術指標 啟動機械泵和羅茨泵後真空室內低真空在20min內壓強低於5Pa。主要功能 各種光學薄膜元件的製備。
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑...
電漿化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度,均勻性,折射率,透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體...
金屬有機化學氣相沉積系統 金屬有機化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年3月20日啟用。技術指標 分子泵,超淨間。主要功能 蝕刻。
電漿化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (...
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路:N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2;清洗氣路: CF4/O2混合氣體;樣品尺寸:8英寸table,可沉積最大6英寸基片;射頻...
微波化學氣相沉積系統 微波化學氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年8月12日啟用。技術指標 微波功率5kW。主要功能 超寬頻隙半導體材料生長。
金屬有機物化學氣相沉積設備是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的分析儀器,於2011年10月24日啟用。技術指標 1、最高生長溫度:1300攝氏度; 2、生長壓力:100~600毫巴; 3、托盤最大轉速:300轉/分鐘; 4、最大載氣流量:...
石墨烯高溫化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年9月10日啟用。技術指標 最高溫度1700攝氏度,最大樣品面積1平方厘米,可進行低壓、近常壓以及電漿增強CVD。主要功能 樣品退火,金屬...
金屬有機物化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年7月1日啟用。技術指標 運行穩定:0-1200C;轉速:0-600RPM;樣品托盤:3*2;生長源氣:TMGa,TMAl,TMIn,CP2Mg,SiH4,NH3。主要功能 生長III-V族化合物...
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。技術指標 直徑450*H400mm,真空極限優於6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對基片影響小,可製備厚膜,膜層成分...
多腔體電漿增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體,不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
石墨烯化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2016年8月2日啟用。技術指標 1、全套石英器件,4條獨立控制氣路(氬氣、氫氣、高、低流量甲烷),氣體泄漏探測器。2、獨立三溫區,最高溫度...
原子層化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月8日啟用。技術指標 沉積高K介電薄膜,緻密無漏點,大面積且均勻性好;薄膜可低溫生長(從室溫到350℃),膜厚可精確控制在~1Å.。主要功能 微納...
主要功能 採用電漿增強化學氣相沉積技術,在光學玻璃、矽、石英以及不鏽鋼等不同襯底材料上沉積氮化矽、非晶矽和微晶矽等薄膜,用以製備非晶矽和微晶矽薄膜太陽電池器件。可廣泛套用於大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量製備。