電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。
基本介紹
- 中文名:電漿增強化學氣相沉積設備
- 產地:中國
- 學科領域:環境科學技術及資源科學技術
- 啟用日期:2011年12月19日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。技術指標直徑450*H400mm,真空極限優於6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對基...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底...
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路:N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2;清洗氣路: CF4/O2混合氣體;樣品尺寸:8英寸table,可沉積最大6英寸基片;射頻...
主要功能 採用電漿增強化學氣相沉積技術,在光學玻璃、矽、石英以及不鏽鋼等不同襯底材料上沉積氮化矽、非晶矽和微晶矽等薄膜,用以製備非晶矽和微晶矽薄膜太陽電池器件。可廣泛套用於大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量製備。
電漿增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負5℃;可用於沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負5%;可接入6路工藝氣體...
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑...
電漿化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成...
電漿增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是半導體製造領域的重要工序之一。其藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離以產生電漿,通過電漿與基片表面的反應,從而在基片上沉積出所期望的薄膜...
2.2電漿增強化學氣相沉積設備 3 物理氣相沉積設備及配套系統 3.1真空室 3.2真空獲得與真空泵 3.3進氣系統 3.4真空測量 3.5氣相沉積技術中的電源 參考文獻 第6章 預處理主要輔助設備 1 清洗 2 刃口強化 2.1刃口強化作用 ...
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)即電漿增強化學氣相沉積是晶片製造工藝的一個重要環節,其專業教學是晶片產業人才培養的重要部分。本虛擬仿真實驗項目,解決了設備昂貴和高危險性等實體實驗無法克服的問題,實現了安全、...
這種方法不僅設備簡單,實驗參數容易控制,對不同的電解液一般都能獲得形態各異的分形結構,更為重要的是可以直接觀察分形生長的每一個細微過程,用相機或攝像機拍攝下分形生長的全過程。類型舉例 化學氣相沉積通常需要在較高的溫度下進行...
射頻電漿增強化學氣相沉積 射頻電漿增強化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的電漿所激活的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
直流熱陰極電漿化學氣相沉積,材料科學技術術語。中文名稱 直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定 義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體氣壓下實現長時間...
微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積,一級套用學科:材料科學技術,二級套用學科:材料科學技術基礎。中文名稱 微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積 定 義 將電場與磁場結合運用,使電場的頻率與電子在磁場中的迴旋的頻率相匹配,即電子...
射頻電漿化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用射頻電磁場產生的電漿促進化學反應降低反應溫度的化學氣相沉積技術。出處 《材料科學技術名詞》。
6) 設備簡單、操作維修方便。7) 反應溫度太高,一般要850~ 1100℃下進行,許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。採用等離子或雷射輔助技術可以降低沉積溫度。分類 化學氣相沉積的方法很多,如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD,APCVD...
脈衝電漿化學氣相沉積 脈衝電漿化學氣相沉積,採用低的脈衝直流電源而進行的電漿化學氣相沉積的方法。
本實驗以基於管式爐PECVD方法發生長氮化矽薄膜為例,旨在通過本實驗了解設備結構,了解真空技術在電漿制模過程中的套用,掌握電漿增強化學氣相沉積的原理、特點及其工藝過程。教學目標 1.理解PECVD的原理、特點及電漿的激勵方式;2....
4.3.8電子迴旋共振電漿增強化學氣相沉積(ECR—PECVD)參考文獻 第5章等離子化學熱處理 5.1等離子滲氮 5.1.1等離子滲氮原理 5.1.2等離子滲氮鋼的組織 5.1.3等離子滲氮工藝參數 5.1.4等離子滲氮設備 5.1.5等離子滲氮優缺點 ...
介電頻譜儀等光電子學測試系統,以及高真空脈衝雷射沉積系統(PLD)、原子層沉積系統(ALD)、高性能納米材料製備系統、電子束蒸發設備、電漿增強化學氣相沉積系統、溶膠-凝膠(Sol-Gel)系統、雙面光刻機、感應耦合電漿刻蝕機等...
對晶矽太陽能電池來說,所涉及的生產工藝包括:晶圓分揀和測試、清洗、蝕刻、擴散到PECVD(電漿增強化學氣相沉積設備)、絲網印刷和燒結。典型的面板生產工藝包括:太陽能電池分選、單個電池和電池組的焊接、層壓、固合,成型和測試。中...