感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。
基本介紹
- 中文名:感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2019年2月25日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 化工、製藥工藝實驗設備 > 化學反應工藝實驗設備
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密...
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統 感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰極高密度電漿源(HCD)、感應耦合等離子體源(ICP)或微波電漿源, VHF(甚高頻)電源 襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑 帶RF偏壓的襯底托; 加熱溫度:最高800°C...
4.3.4 晶圓邊緣等離子體表面處理設備均勻性/130 參考文獻/131 第5章 積體電路中的物理氣相沉積工藝與裝備/134 5.1 物理氣相沉積設備概述/134 5.1.1 蒸鍍設備/135 5.1.2 直流磁控濺射設備/136 5.1.3 射頻磁控濺射設備/139 5.1.4 磁控濺射和磁控管設計/141 5.2 磁控濺射真空系統及相關設備/145 5.2...
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑最大8 寸的晶圓,碎片可由載片器裝載; 工藝溫度控制在20°C 到400°C 之間...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合等離子體刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積系統(PECVD)。測量設備:掃描探針顯微鏡(AFM);雙探針掃描電鏡原位測量系統(DB-...
多功能原子力顯微鏡、變溫探針台、鐵電測試儀、介電頻譜儀等光電子學測試系統,以及高真空脈衝雷射沉積系統(PLD)、原子層沉積系統(ALD)、高性能納米材料製備系統、電子束蒸發設備、電漿增強化學氣相沉積系統、溶膠-凝膠(Sol-Gel)系統、雙面光刻機、感應耦合等離子體刻蝕機等材料和器件的製備系統,依託單位...
結構如圖6所示。採用等離子增強化學氣相沉積系統在器件表面及邊緣沉積介質膜42,如圖5所示,進行表面鈍化及器件保護,提高器件的可靠性。將金屬電極41區域的介質膜42去除,進行壓焊封裝。榮譽表彰 2013年10月,《採用全光學膜體系的垂直結構發光二極體製作方法》獲得第十五屆中國專利優 秀獎。
5.6 高溫化學氣相沉積 5.6.1 外延矽沉積 5.6.2 選擇性外延工藝 5.6.3 多晶矽沉積 5.6.4 氮化矽沉積 5.7 快速加熱工藝( RTP)系統 5.7.1 快速加熱退火(RTA)系統 5.7.2 快速加熱氧化(RTO)5.7.3 快速加熱CVD 5.8 加熱工藝發展趨勢 5.9 小結 5.10參考文獻 5.11習題 第6章 光刻工藝 6.1 ...