感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。
基本介紹
- 中文名:感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2016年12月20日
- 所屬類別:工藝試驗儀器
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。
感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。1主要功能低溫工藝,可在溫室下進行...
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑最大8 寸的晶圓,碎片可由載片器裝載; 工藝溫度控制在20°C 到400°C 之間...
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰極高密度電漿源(HCD)、感應耦合電漿源(ICP)或微波電漿源, VHF(甚高頻)電源 襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑 帶RF偏壓的襯底托; 加熱溫度:最高800°C...
射頻電漿化學氣相沉積是電漿增強化學氣相沉積技術中的一種,其特點在於電漿是高真空度下氣體在射頻交變電場的作用下發生電離而產生。根據射頻電場耦台形式的不同,可以分為射頻感應耦合斌和射頻電容耦合式。原理及特點 原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成電漿,基體浸沒在電漿中或放置在...
感應耦合電漿刻蝕系統 感應耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月24日啟用。技術指標 均勻性優於5%。主要功能 化學氣相沉積SiO2和SiN。
感應耦合氣相沉積設備是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2013年9月14日啟用。技術指標 壓電源:功率300W,13.56MHz,配有自動匹配器;9路氣體流量控制系統。2. 熱處理腔室,基片加熱溫度最高達6000C,溫控精度:±1k,3. 手動模式可獨立激活、測試、修改工藝,自動模式可自行編制全自動工藝模組和設定硬體...
6.5.2 光譜反射計和稜鏡耦合器/217 6.5.3 傅立葉紅外光譜儀/217 6.5.4 C-V和I-V電學性質測量/218 參考文獻/220 第7章 高密度電漿化學氣相沉積工藝與裝備/224 7.1 高密度電漿化學氣相沉積工藝/224 7.1.1 淺溝槽隔離介電質填充/227 7.1.2 層間介電質填充/229 7.1.3 金屬間介電質...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合電漿刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積系統(PECVD)。測量設備:掃描探針顯微鏡(AFM);雙探針掃描電鏡原位測量系統(DB-...
7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿刻蝕反應器 7.8.1 工藝的差異性 7.8.2 CVD反應室設計 7.8.3 刻蝕反應室的設計 7.9 遙控電漿工藝 7.9.1 去光刻膠 7.9.2 遙控電漿刻蝕 7.9.3 遙控電漿清潔 7.9.4 遙控電漿CVD(RPCVD)7.10高密度電漿工藝 7.10.1 感應耦合型電漿...
多功能原子力顯微鏡、變溫探針台、鐵電測試儀、介電頻譜儀等光電子學測試系統,以及高真空脈衝雷射沉積系統(PLD)、原子層沉積系統(ALD)、高性能納米材料製備系統、電子束蒸發設備、電漿增強化學氣相沉積系統、溶膠-凝膠(Sol-Gel)系統、雙面光刻機、感應耦合電漿刻蝕機等材料和器件的製備系統,依託單位...
實驗室重點設備有D8-Discover型高分辨X射線衍射儀、MTS納米壓痕儀、射頻探針系統、LWS-500型雷射焊接系統、超高真空多功能磁控濺射系統、微波ECR電漿源離子注/滲系統、微摩擦磨損試驗機、ECR-電漿增強MOCVD系統 (ESPD-U)、射頻感應耦合電漿裝置、強流脈衝電子束裝置(低能電子炮)、Bulat-6 型多弧離子鍍膜...
高純六氟化鎢(WF6)是一種無機化合物,化學式為WF6,常溫常壓下為無色氣體,密度為3.44g/cm³,是已知最重的氣體之一。六氟化鎢在鎢的氟化物中是唯一穩定並被工業化生產的品種,主要用於製備高純鎢粉和作為金屬鎢化學氣相沉積(CVD)工藝的原材料。工業製得的WF6中往往含有一些雜質,嚴重影響...
結構如圖6所示。採用等離子增強化學氣相沉積系統在器件表面及邊緣沉積介質膜42,如圖5所示,進行表面鈍化及器件保護,提高器件的可靠性。將金屬電極41區域的介質膜42去除,進行壓焊封裝。榮譽表彰 2013年10月,《採用全光學膜體系的垂直結構發光二極體製作方法》獲得第十五屆中國專利優 秀獎。
3.8 化學活性氣體的排氣65 3.8.1 主要裝置及存在的問題66 3.8.2 排氣系統及其部件66 習題68 第4章 氣體放電和低溫電漿69 4.1 帶電粒子在電磁場中的運動69 4.1.1 帶電粒子在電場中的運動69 4.1.2 帶電粒子在磁場中的運動70 4.1.3 帶電粒子在電磁場中的運動71 4.1.4 磁控管和電子迴旋...