電漿增強氣相沉積系統

電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月20日啟用。

基本介紹

• 中文名：電漿增強氣相沉積系統
• 產地：英國
• 學科領域：物理學、材料科學
• 啟用日期：2010年12月20日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備

技術指標

氣路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2；清洗氣路: CF4/O2混合氣體；樣品尺寸：8英寸table,可沉積最大6英寸基片；射頻源：高頻: 13.56 MHz,低頻: 50-450 kHz；控溫範圍： 室溫至400℃；沉積材料：氧化矽、氮化矽、碳化矽、多晶矽等。

主要功能

PECVD系統可以藉助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成電漿，利用電漿的強化學活性發生反應，從而在基片上沉積出所期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好等優點。可沉積氧化矽、氮化矽、碳化矽、多晶矽等材料，能夠實現對沉積厚度的精確控制，還可以通過改變反應氣體組分在一定範圍內調節沉積薄膜的折射率，可套用於微/納結構中的抗腐蝕層、微納電子器件中的絕緣層、薄膜太陽能電池等。