原子層化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月8日啟用。
原子層化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月8日啟用。技術指標沉積高K介電薄膜，緻密無漏點，大面積且均勻性好；薄膜可低溫生長(從室溫到350℃)，膜厚可精確控制在～1Å.。1主要...
原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個加熱反應器中的襯底上連續引入至少兩種...
原子氣相沉積是基於脈衝液體注射的化學氣相沉積工藝技術。液體前驅體（包含相變材料組分的前驅體）以微升級的小液滴脈衝被噴射到蒸發器。在惰性氣體（氬、氮等）載氣的作用下，在加熱的蒸發器中得到氣化的前驅體被載入反應腔單元，然後通過...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統，包括：機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣...
廣義上講，化學氣相沉積反應器的設計可分成常壓式和低壓式，熱壁式和冷壁式。常壓式反應器運行的缺點是需要大流量攜載氣體、大尺寸設備，膜被污染的程度高；而低壓化學氣相沉積系統可以除去攜載氣體並在低壓下只使用少量反應氣體，此時，...
本項目擬在原子層沉積系統內進行化學氣相反應合成石墨烯薄膜的實驗，利用其特有源物質的快速切換和清洗系統，在原子層面控制石墨烯的生長過程，抑制多層石墨生長，達到生長連續單層石墨烯薄膜的目的。此外，嘗試套用電漿輔助沉積等手段進一步...
石墨烯化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器，於2016年8月2日啟用。技術指標 1、全套石英器件，4條獨立控制氣路（氬氣、氫氣、高、低流量甲烷），氣體泄漏探測器。2、獨立三溫區，最高溫度...
金屬有機物化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2006年7月1日啟用。技術指標 運行穩定：0-1200C；轉速：0-600RPM；樣品托盤：3*2；生長源氣：TMGa，TMAl，TMIn，CP2Mg,SiH4,NH3。主要功能 生長III-V族化合物...
石墨烯高溫化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2014年9月10日啟用。技術指標 最高溫度1700攝氏度，最大樣品面積1平方厘米，可進行低壓、近常壓以及電漿增強CVD。主要功能 樣品退火，金屬...
電漿增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2015年7月1日啟用。技術指標 300W,13.56MHz高頻源；500W,50kHz-460kHz 低頻源；反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%，重複...
電漿化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (...
朱建軍，中國國籍，中科院蘇州納米所研究員，畢業於大連理工大學，主要研究生產型金屬有機化學氣相沉積系統。人物簡介 1992年7月獲大連理工大學套用物理系學士學位；1995年7月獲北京師範大學物理系凝聚態物理專業碩士學位；1998年7月獲中科院...
具體來說：項目以低壓化學氣相沉積系統為實驗設備，研究基於化學反應的運載氣體運動與擴散行為。基於化學熱力學理論，建立TiO2薄膜製備精確工藝能量模型，基於比能耗定義和納米製備工藝特徵，提出TiO2薄膜製備工藝的比能耗計算方法。分析不同組...
