基本介紹
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物理氣相沉積(簡稱PVD)是將金屬、合金或化合物放在真空室中蒸發(或稱濺射)。使這些氣相原子或分子在一定條件下沉積在工件表面上的工藝。物理氣相沉積可分為真空蒸鍍、真空濺射和離子鍍互類。與CVD相比，PVD法的主要優點是處理溫度較低，...
原子層化學氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月8日啟用。技術指標 沉積高K介電薄膜，緻密無漏點，大面積且均勻性好；薄膜可低溫生長(從室溫到350℃)，膜厚可精確控制在～1Å.。主要功能 微納...
《動力學方法對氣相沉積成膜的原子分子過程研究》是依託華中科技大學，由王敬義擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目研究了熱CVD澱積a-Si：H、PECVDA和反應濺射生長SiC與TiN薄膜。研究了反應室的改進及工藝參數的調整對薄膜生長速率...
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術是指在真空條件下採用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，並通過低壓氣體（或電漿）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術， 物理...
《強磁場對氣相沉積製備薄膜材料的影響》是依託上海大學，由任忠鳴擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 進行強磁場下氣相沉積製備薄膜材料基礎研究，在強磁場的環境下真空蒸發和化學氣相沉積金屬等薄膜，使用AFM、SEM、TEM、XRD等手段觀察薄膜...
1 電漿增強化學氣相沉積技術機理 2 等離子氣體產生過程及性質 2.1多原子分子具有平動、旋轉和振動自由度 2.2分解 2.3電離 3 電漿化學反應過程 4 電漿增強化學氣相沉積裝置 5 電漿增強化學氣相沉積工藝過程及特點 5.1...
化學氣相沉積CVD (Chemical Vapor Deposition)是利用加熱，電漿激勵或光輻射等方法，使氣態或蒸汽狀態的化學物質發生反應並以原子態沉積在置於適當位置的襯底上，從而形成所需要的固態薄膜或塗層的過程。化學氣相沉積是一種非常靈活、套用...
熱絲法化學氣相沉積，亦稱“熱解化學氣相沉積”。通過熱解含碳氣體製備金剛石的方法。在由石英管或類似容器構成的真空反應室上部水平安裝以難熔金屬材料如鎢、鈮、鉭等製成的燈絲，加熱到2000℃以上；把用於沉積金剛石的基片置於熱絲下方，...
與其它摻雜方法比，化學氣相摻雜的特點是雜質可在整個薄膜厚度內作均勻的分布。不需增添設備，只需將待摻入的雜質原子的氣體混合入化學氣相沉積的主氣流中即可。摻雜源可以是氣體，也可以是液體或固體。輸入方式 液體摻雜源頭通過載氣鼓泡...
《同步輻射輔助光化學氣相沉積技術研究及套用》是依託中國科學技術大學，由張國斌擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 光化學氣相沉積（Photo-assisted CVD）可以大幅度降低薄膜生長的溫度，避免其他CVD中的高溫生長所產生的界面原子擴散、熱...
離子化這些金屬原子的目的是，讓這些原子帶有電價，進而使其行進方向受到控制，讓這些原子得以垂直的方向往晶圓行進，就像電漿蝕刻及化學氣相沉積製程。這樣做可以讓這些金屬原子針對極窄、極深的結構進行溝填，以形成極均勻的表層，尤其是在...
CVD（Chemical Vapor Deposition化學氣相沉積）金剛石。含碳氣體（如甲烷）和氫氣的混合物在高溫和低於標準大氣壓的壓力下被激發分解，形成等離子態碳原子，並在基體上沉積互動生長成聚晶金剛石（或控制沉積生長條件沉積生長金剛石單晶或者準...
利用化學氣相沉積法或原子層沉積法可以在物料表面加上五氧化二鈮薄層，兩種方法均用到乙醇鈮(V)在350°C以上會熱分解的原理。鹵化物 鈮可以形成擁有+5和+4氧化態的鹵化物，以及各種亞化學計量化合物。五鹵化鈮（NbX₅）含有八面體型...
目前,利用N離子注入無定形氮化碳薄膜來改善薄膜結構、性能和提高薄膜中N原子含量成為離子注入技術中的一個新的研究方向。 氣相沉積法 在氮化碳晶體的合成研究中,相對於其他的合成方法,物理或化學氣相沉積方法取得了較好的研究結果。通過在...