動力學方法對氣相沉積成膜的原子分子過程研究

《動力學方法對氣相沉積成膜的原子分子過程研究》是依託華中科技大學，由王敬義擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：動力學方法對氣相沉積成膜的原子分子過程研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：王敬義
• 依託單位：華中科技大學
• 支持經費：6（萬元）
• 研究期限：1994-01-01 至 1996-12-31
• 負責人職稱：教授
• 申請代碼：A2107
• 批准號：19374024

項目摘要

本項目研究了熱CVD澱積a-Si：H、PECVDA和反應濺射生長SiC與TiN薄膜。研究了反應室的改進及工藝參數的調整對薄膜生長速率與質量的影響。利用探針及其實驗數據進行對照，分析了氣相澱積的原子、分子、離子及電子的濃度、溫度和輸運。為薄膜的生長、設計尋找動力依據，建立各種動力學模型，進行論文寫作和薄膜的實用化研究。重要研究成果有三點：（1）澱積出了SiC、TiN優質薄膜，其中SiC用於半導體熱電飲料機使致冷係數提高30%，成為一項專利的重要權利要求之一；（2）在靶動力學、靶中毒及反應濺射生長三個理論模型方面具有獨創性，已在雜誌上發表論文五篇，另有三篇待發表；（3）研製成功計算機電漿探針自動測試裝置。