基本介紹
- 中文名:氣相沉積技術
- 外文名:Vapor deposition technique
- 原理:利用氣相中發生的物理、化學過程
- 沉積層:一層過渡族元素
- 分類:化學氣相沉積和物理氣相沉積
- 套用:各類模具的表面硬化處理
氣相沉積技術是利用氣相中發生的物理、化學過程,改變工件表面成分,在表面形成具有特殊性能(例如超硬耐磨層或具有特殊的光學、電學性能)的金屬或化合物塗層的新技術。氣相沉積通常是在工件表面覆蓋厚度約0.5~10μm的一層過渡族...
化學氣相沉積技術在材料製備中使用 1化學氣相沉積法生產晶體、晶體薄膜 化學氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助,而且也可以生產出很多別的手段無法製備出的一些晶體。化學氣相沉積法最常見的使用方式是在某個晶體襯底上...
物理氣相沉積技術基本原理可分三個工藝步驟:(1)鍍料的氣化:即使鍍料蒸發,升華或被濺射,也就是通過鍍料的氣化源。(2)鍍料原子、分子或離子的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞後,產生多種反應。(3)鍍料原子、分子或...
它是把反應物質全部以有機金屬化合物的氣體分子形式,用H2氣作載帶氣體送到反應室,進行熱分解反應而形成化合物半導體的一種新技術。由於它用控制氣體流量的方法,容易改變化合物的組成及摻雜濃度,同時所用的設備比較簡單,生長速度快,周期短...
雷射化學氣相沉積(LCVD)LCVD(1aser chemical vapor deposition)是利用雷射作為熱源,通過雷射激活而增強CVD的一種技術。LCVD技術是在局部體積內進行,所以減少了能耗和污染問題。在LCVD中,根據雷射種類的不同,反應機理有兩種不同的類型,...
低溫化學氣相沉積技術(簡稱PCVD),是作為CVD和PVD技術補充而發展起來的。具有設備簡單、工件變形小、繞PCVD技術沉積溫度<600℃拓寬了基體材料適用範圍,鍍性能好、塗層均勻、調整成分方便等優點。既克服了HT-CVD技術沉積溫度高,對基體材料...
電化學氣相沉積法(EVD)是在CVD基礎上進一步製備緻密膜的一種方法。這種方法可在多孔載體上覆蓋一層薄的固體氧化物電解質。如在粗孔載體上覆蓋一層陶瓷膜頂層,然後用EVD法沉積,可製得膜厚 簡介 電化學氣相沉積(EVD)法是CVD法的改進...
由 化學氣相沉積(CVD)技術所形成的膜層緻密且均勻, 膜層與基體的結合牢固, 薄膜成分易控, 沉積速度快, 膜層質量也很穩定,某些特殊膜層還具有優異的光學、熱學和電學性能, 因而易於實現批量生產。但是, CVD的沉積溫度通常很高, 在 ...
化學氣相沉積 化學氣相沉積是製備各種薄膜材料的一種重要和普遍使用的技術,利用這一技術可以在各種基片上製備元素及化合物薄膜。化學氣相沉積相對於其他薄膜沉積技術具有許多優點:它可以準確地控制薄膜的組分及摻雜水平使其組分具有理想化學...
電漿化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成...
金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)是一種利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄膜的化學氣相沉積技術。原理 金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)又稱有機金屬化合物氣相澱積...
7) 反應溫度太高,一般要850~ 1100℃下進行,許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。採用等離子或雷射輔助技術可以降低沉積溫度。分類 化學氣相沉積的方法很多,如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD,APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low ...
射頻化學氣相沉積是指利用射頻電漿化學激活氣相反應進行氣相沉積的技術。要求 為了產生射頻電漿,必須對反應室加上射頻電磁場,反應室壓強保持在0.13Pa左右。影響因素 在射頻電磁場的作用下,自由電子的運動引起反應物氣體分子的電離...
是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法。電漿增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)技術是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後...
《氣相沉積技術原理及套用》是2020年冶金工業出版社出版的圖書。內容簡介 本書以岩石力學、斷裂力學、圖像處理技術等理論為基礎,系統探討三軸壓縮荷載作用下岩石漸進性破壞力學特性,結合數字圖像處理技術,對不同狀態下岩石的巨觀力學特性及...
等離子化學氣相沉積 等離子化學氣相沉積PlasnaH chemical apar deposition;1'C;VTI化學氣相沉積 (L`1'T3 )法是製備無機材料,尤其是無機薄膜和塗層的一種重要手段,用等離子輔助CVr。可在較低的溫度下沉積,塗層均勻不剝落、
雷射與氣相沉積複合技術比較適合於有色金屬和陶瓷塗層的塗覆,如鋁合金表面的塗覆要比鋼鐵困難,因鋁合金與塗覆材料的熔點差別太大,而且在鋁合金的表面還存在高緻密度、高表面張力、高熔點的Al₂O₃膜。因此,塗層易開裂、脫落,產生...
熱化學氣相沉積套用於半導體材料,如Si,Cae,GaAs,InP等各種氧化物和其它材料。沉澱方法 廣泛套用的TCVD技術如金屬有機化學氣相沉積、氯化物化學氣相沉積、氫化物化學氣相沉積等均屬於熱化學氣相沉積的範圍。套用 熱解化學氣相沉積法合成金剛...
該技術主要用於製備各種高溫陶瓷基複合材料,包括炭-炭複合材料和以碳化物、氮化物為基質的材料,此外,還可以製備各種不透氣的元件。簡史 CVI法是化學氣相沉積(CVD)法的一種延伸。1962年,Bickerdike首次提出利用CVI法增加多孔碳材料的密度...
金屬有機氣相沉積(metal organic chemical vapor deposition)是2016年公布的化學名詞。定義 用金屬有機化合物作為前驅物的化學氣相沉積方法。金屬有機氣相沉積技術主要用於製備Ⅲ-V族、Ⅱ-VI族等半導體超晶格、量子阱等低維材料,以及多元...
此外,利用化學氣相沉積還可生產耐磨、耐蝕、抗氧化、抗沖蝕等功能塗層。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用CVD方法製備。液相沉積法 Liquid-Phase Deposition(LPD),是專為製備氧化物薄膜而發展起來的液相外延技術。基本原理是從金屬氟化...
採用陰極弧方式沉積的塗層表面 採用PEMSTM技術沉積的塗層表面 主要優點有:被處理材料範圍很廣(金屬,陶瓷,聚合物,玻璃);塗層均勻,成分精確;一機多用,可在多種模式下運行:-PVD (物理氣相沉積) 形式 -PECVD(電漿增強化學...
低壓金屬有機化學氣相沉積 低壓金屬有機化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 在低於一個大氣壓條件下,將金屬有機化合物通過氣相輸運到材料的襯底上的工藝。生長的薄層不一定是單晶。
雷射增強化學氣相沉積 雷射增強化學氣相沉積是一種化學氣相沉積。雷射增強化學氣相沉積