中文名稱 | 低壓金屬有機化學氣相沉積 |
英文名稱 | low pressure metalorganic chemical vapor phase deposition |
定 義 | 在低於一個大氣壓條件下,將金屬有機化合物通過氣相輸運到材料的襯底上的工藝。生長的薄層不一定是單晶。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半導體材料製備(三級學科) |
中文名稱 | 低壓金屬有機化學氣相沉積 |
英文名稱 | low pressure metalorganic chemical vapor phase deposition |
定 義 | 在低於一個大氣壓條件下,將金屬有機化合物通過氣相輸運到材料的襯底上的工藝。生長的薄層不一定是單晶。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半導體材料製備(三級學科) |
中文名稱 低壓金屬有機化學氣相沉積 英文名稱 low pressure metalorganic chemical vapor phase deposition 定義 在低於一個大氣壓條件下,將金屬有機化合物通過氣相...
金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)是一種利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄膜的化學氣相沉積技術。...
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常壓化學氣相沉積、電漿輔助化學沉積、雷射輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積...CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類,包括低壓CVD(LPCVD),常壓CVD(APCVD),亞...
中文名稱 低壓化學氣相沉積 英文名稱 low pressure chemical vapor deposition,LP-CVD 定義 在低於一個大氣壓的條件下進行的化學氣相沉積。 套用學科 材料科學技術...
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熱化學氣相沉積(TCVD)是指利用高溫激活化學反應進行氣相生長的方法。廣泛套用的TCVD技術如金屬有機化學氣相沉積、氯化物化學氣相沉積、氫化物化學氣相沉積等均屬於熱...
中文名稱 常壓金屬有機化學氣相沉積 英文名稱 atmospheric pressure metalorganic chemical vapor phase deposition 定義 在常壓條件下,將金屬有機化合物通過氣相輸運...