低壓化學氣相沉積

化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD) 是利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。...

化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展...

中文名稱 低壓化學氣相沉積 英文名稱 low pressure chemical vapor deposition,LP-CVD 定義 在低於一個大氣壓的條件下進行的化學氣相沉積。 套用學科 材料科學技術...

化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成塗層或納米材料的方法,是半導體工業中套用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大範圍的絕緣材料,大多數...

電漿化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。按產生電漿的方法,...

CVD,化學氣相澱積,指高溫下的氣相反應。...... (化學氣相沉積)編輯 鎖定 本詞條缺少名片圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!CVD,化學氣相淀...

低溫化學氣相沉積技術(簡稱PCVD),是作為CVD和PVD技術補充而發展起來的。具有設備簡單、工件變形小、繞PCVD技術沉積溫度<600℃拓寬了基體材料適用範圍,鍍性能好、塗層...

等離子化學氣相沉積PlasnaH chemical }apar deposition;1'C;VTI化學氣相沉積} L`1'T3 )法是製備無機材料,尤其是無機薄膜和塗層的一種重要手段,用等離子輔助CVr}...

射頻化學氣相沉積是指用射頻電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。原理是以兩個平行的圓鋁板作電極,通過電容耦合方式輸入...

熱化學氣相沉積(TCVD)是指利用高溫激活化學反應進行氣相生長的方法。廣泛套用的TCVD技術如金屬有機化學氣相沉積、氯化物化學氣相沉積、氫化物化學氣相沉積等均屬於熱...

化學氣相沉積制粉法是利用揮發性金屬化合物蒸氣分解或與其他氣體間的化學反應獲得超細粉末的一種粉末製取方法。...

化學氣相沉積是一種常見的化學制粉方法。通過某種化學方法使氣相物質發生氣—固相變或氣相化學反應,生成金屬或陶瓷粉體稱為化學氣相沉積。...

電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)...... 電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD) ...

金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)是一種利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄膜的化學氣相沉積技術。...

雷射增強化學氣相沉積 ...... 雷射增強化學氣相沉積V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數:3次歷史版本 最近更新: 創建者:w_ou猜你喜歡...

微波電漿化學氣相沉積是使反應氣體的分子離化的微波。...... 微波電漿化學氣相沉積是使反應氣體的分子離化的微波。中文名 微波電漿化學氣相沉積 外文名...

金屬有機化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ,是在基板上成長 半導體 薄膜的一種方法。...