低溫化學氣相沉積技術

低溫化學氣相沉積技術(簡稱PCVD)，是作為CVD和PVD技術補充而發展起來的。具有設備簡單、工件變形小、繞PCVD技術沉積溫度<600℃拓寬了基體材料適用範圍，鍍性能好、塗層均勻、調整成分方便等優點。既克服了HT-CVD技術沉積溫度高，對基體材料要求嚴格的缺點，又避免了PVD技術繞鍍性能差、設備複雜的問題，是一種具有很大發展前景和套用價值的新型塗層工藝技術。

低溫化學氣相沉積技術工藝過程是: 經清洗後的待處理物件，按要求擺放在不鏽鋼製造的盛物框上，放人沉積室並接好電源，罩上沉積室。系統經檢漏密封合格後，通人H₂ 恢復常壓。再罩上加熱爐對沉積室進行加熱。當工件溫度升至規定沉積溫度後，啟動真空泵對系統排氣抽空，並通人Ar或N₂，通過直流脈衝電源對物件表面進行轟擊淨化或離子滲氮。達到要求後，

再按需要通人TiCl₄、SiCl₄、AICl₄、N₂、CH₄、H₂ 等反應氣體沉積硬質塗層。沉積工序結束後，切斷電源、停止通人反應氣體。移開加熱爐進行冷卻，冷至100℃以下，即可打開沉積室取出除層製品，經檢驗合格後，包裝入庫。