等離子化學氣相沉積PlasnaH chemical }apar deposition;1'C;VTI化學氣相沉積} L`1'T3 )法是製備無機材料，尤其是無機薄膜和塗層的一種重要手段，用等離子輔助CVr}。可在較低的溫度下沉積，塗層均勻不剝落、
等離子體化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。按產生等離子體的方法,...
等離子體增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)...... 等離子體增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD) ...
等離子化學氣相沉積PlasnaH chemical }apar deposition;1'C;VTI化學氣相沉積} L`1'T3 )法是製備無機材料,尤其是無機薄膜和塗層的一種重要手段,用等離子輔助CVr}...
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD) 是利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。...
化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成塗層或納米材料的方法,是半導體工業中套用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大範圍的絕緣材料,大多數...
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展...
中文名稱 射頻等離子體化學氣相沉積 英文名稱 radio frequency plasma chemical vapor deposition 定義 利用射頻電磁場產生的等離子體促進化學反應降低反應溫度的化學...
中文名稱 射頻等離子體增強化學氣相沉積 英文名稱 radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition 定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的等離子體所激活...
CVD,化學氣相澱積,指高溫下的氣相反應。...... (化學氣相沉積)編輯 鎖定 本詞條缺少名片圖,補充相關...⑷等離子體CVD;⑸真空CVD,等。套用流動層的CVD如圖3所示...
微波等離子體化學氣相沉積是使反應氣體的分子離化的微波。...... 微波等離子體化學氣相沉積是使反應氣體的分子離化的微波。中文名 微波等離子體化學氣相沉積 外文名...
射頻化學氣相沉積是指用射頻等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。原理是以兩個平行的圓鋁板作電極,通過電容耦合方式輸入...
化學氣相沉積是通過氣相物質在工件表面上進行化學反應,反應生成物在工件表面形成固態膜層的工藝方法。它採用含有成膜元素的物質達到沉積單晶、多晶或非晶的薄膜,套用...
氣相沉積套用技術作者王福貞,馬文存,本書在第1篇中全面闡述了化學氣相沉積、物理氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積的技術基礎、技術原理、新的沉積技術、工藝過程、...
氣相沉積技術是利用氣相中發生的物理、化學過程,在工件表面形成功能性或裝飾性的金屬、非金屬或化合物塗層。氣相沉積技術按照成膜機理,可分為化學氣相沉積、物理氣相...
微波電子迴旋共振等離子體化學氣相沉積,一級套用學科:材料科學技術,二級套用學科:材料科學技術基礎。...
氣相沉積技術是利用氣相中發生的物理、化學過程,改變工件表面成分,在表面形成具有特殊性能(例如超硬耐磨層或具有特殊的光學、電學性能)的金屬或化合物塗層的新技術。...
化學沉積具有化學氣相沉積和液相沉積兩種模式。[1] 化學沉積化學氣相沉積CVD (Chemical Vapor Deposition)是利用加熱,等離子體激勵或光輻射等方法,使氣態或蒸汽狀態的...
首先對低溫等離子體的本質、不同等離子體源的特性進行了探討,然後介紹等離子體輔助物理氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、等離子體輔助熱處理、等離子體浸沒離子注入...
中文名稱 直流熱陰極等離子體化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體...
在等離子體技術方面,主要進行多種等離子體裝置的研製,包括微波等離子體化學氣相沉積裝置、微波電子迴旋共振等離子體化學 氣相沉積裝置、射頻等離子體化學氣相沉積裝置、...
等離子設備主要適用於各種材料的表面改性處理:表面清洗、表面活化、表面刻蝕、表面接枝、表面沉積、表面聚合以及等離子體輔助化學氣相沉積: 等離子設備(5張) ...