化學沉積是利用一種合適的還原劑使鍍液中的金屬離子還原並沉積在基體表面上的化學還原過程。與電化學沉積不同， 化學沉積不需要整流電源和陽極。
基本介紹
- 中文名：化學沉積
- 外文名：Chemical Vapor Deposition
- 分類：化學氣相沉積和液相沉積
- 方法：利用加熱
化學氣相沉積CVD,液相沉積法,
化學沉積具有化學氣相沉積和液相沉積兩種模式。
化學氣相沉積CVD
(Chemical Vapor Deposition)是利用加熱，電漿激勵或光輻射等方法，使氣態或蒸汽狀態的化學物質發生反應並以原子態沉積在置於適當位置的襯底上，從而形成所需要的固態薄膜或塗層的過程。化學氣相沉積是一種非常靈活、套用極為廣泛的工藝方法，可以用來製備各種塗層、粉末、纖維和成型元器件。特別在半導體材料的生產方面，化學氣相沉積的外延生長顯示出與其他外延方法（如分子束外延、液相外延）無與倫比的優越性，即使在化學性質完全不同的襯底上，利用化學氣相沉積也能產生出晶格常數與襯底匹配良好的外延薄膜。此外，利用化學氣相沉積還可生產耐磨、耐蝕、抗氧化、抗沖蝕等功能塗層。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用CVD方法製備。
液相沉積法
Liquid-Phase Deposition(LPD)，是專為製備氧化物薄膜而發展起來的液相外延技術。基本原理是從金屬氟化物的水溶液中生成氧化物薄膜的方法，通過添加水、硼酸或者金屬Al，使金屬氟化物緩慢水解。其中水直接促使生成氧化物，硼酸和鋁作為氟離子的捕獲劑，促進水解，從而使金屬氧化物沉積在基體表面。該法要求對水解反應以及溶液的過飽和度有很好的控制。另外，薄膜的形成過程是在強酸性的溶液中進行的。當前，已可以採用LPD沉積的金屬的氧化物有：Ti、Sn、Zr、V、Cd、Zn、Ni、Fe、Al等。整體而言，LPD法工藝簡單、成膜速率高、對環境污染小，為功能薄膜的生產開闢了一條新的途徑。
