| 中文名稱 | 常壓金屬有機化學氣相沉積 |
| 英文名稱 | atmospheric pressure metalorganic chemical vapor phase deposition |
| 定 義 | 在常壓條件下，將金屬有機化合物通過氣相輸運到材料的襯底上的工藝。生長的薄層不一定是單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 常壓金屬有機化學氣相沉積 |
| 英文名稱 | atmospheric pressure metalorganic chemical vapor phase deposition |
| 定 義 | 在常壓條件下，將金屬有機化合物通過氣相輸運到材料的襯底上的工藝。生長的薄層不一定是單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
中文名稱 常壓金屬有機化學氣相沉積 英文名稱 atmospheric pressure metalorganic chemical vapor phase deposition 定義 在常壓條件下,將金屬有機化合物通過氣相輸運...
金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)是一種利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄膜的化學氣相沉積技術。...
有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ,是在基板上成長 半導體 薄膜的一種方法。...
化學氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、電漿輔助化學沉積、雷射輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。氣相沉積法分類 編輯 CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類,包括...
2)可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好)。...從20世紀80年代開始,NASA 開始嘗試使用金屬有機化合物化學氣相沉積法製取出使用錸...
金屬有機化合物化學氣相沉積metal or}amr c}}n:rpouruirhrmic}l }}po】一dcFx}sition ; MDCVh用金屬有機化合物熱分解進行氣相外延生長的方法。...
化學氣相沉積的方法很多,如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD,APCVD)、...雷射化學氣相沉積(Laser CVD,LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(Metal-organic CVD...
熱化學氣相沉積(TCVD)是指利用高溫激活化學反應進行氣相生長的方法。廣泛套用的TCVD技術如金屬有機化學氣相沉積、氯化物化學氣相沉積、氫化物化學氣相沉積等均屬於熱...
中文名稱 低壓金屬有機化學氣相沉積 英文名稱 low pressure metalorganic chemical vapor phase deposition 定義 在低於一個大氣壓條件下,將金屬有機化合物通過氣相...
軟化學反應是一種溫和的反應,常溫常壓下合成無機陶瓷、玻璃材料的溶膠-凝膠(sol-gel)過程,金屬有機化學氣相沉積(MOCVD),酶促合成骨骼和人齒均屬此類。而硬化學(...
化學氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、電漿輔助化學沉積、雷射輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。磁泡濺射法 磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極(柱狀...
金剛石膜是指用低壓或常壓化學氣相沉積(CVD)方法人工合成的金剛石膜。金剛石膜的製備方法有熱化學氣相沉積(TCVD)和電漿化學氣相沉積(PCVD)兩大類。...
8 6 1常壓CVD技術的一般原理8 6 2常壓的CVD裝置8 7低壓化學氣相沉積(LPCVD)...8 9金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)8 10光輔助化學氣相沉積(PHCVD)...
二乙基鋅在常溫常壓下為無色透明有惡臭的液體,遇水劇烈水解,易溶於己烷、庚烷...可用於半導體生產的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝和外延生長及聚合反應的催化...
金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)MOCVD 是一種先進的外延生長技術,是用氫氣將金屬...MOCVD 是在常壓或低壓下生長的,氫氣攜帶的金屬有機物源(如III 族)在擴散通過...
三乙基鋁是乙烯常壓聚合的催化劑。室驗室中方便的製法是二乙基汞與金屬鋁作用...純品可用於金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝,並可用作火箭燃料。 [6] ...
化學氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、電漿輔助化學沉積、雷射輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。磁泡材料濺射法 磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極(...
現在我們知道,在常溫常壓下金剛石是亞穩相,這其中碳原子的4 個價電子是以sp3...目前,CVD反應沉積溫度的耕地溫化是一個發展方向,金屬有機化學氣相沉積技術(MOCVD...
11.3.2常壓化學氣相沉積 11.3.3低壓化學氣相沉積 11.3.4電漿增強化學氣相沉積 11.3.5光化學氣相沉積 11.3.6金屬有機化學氣相沉積 10.3.7原子...
乙醯丙酮鉑,Platinum 2,4-pentanedionate,分子式 C10H14O4Pt,分子量 393.3。乙醯丙酮鉑族金屬可用作金屬有機化學氣相沉積製備鉑族金屬薄膜或塗層材料的前驅體、...
包括真空蒸發新工藝、磁控濺射、離子鍍及分子束外延;③化學氣相沉積(CVD)。按反應條件分為常壓、低壓、低溫、金屬有機物(MOCVD)、電漿增強(PECVD)及雷射誘導(...