金屬有機化合物化學氣相沉積

金屬有機化合物化學氣相沉積metal or}amr c}}n:rpouruirhrmic}l }}po】一dcFx}sition ; MDCVh用金屬有機化合物熱分解進行氣相外延生長的方法。

其基本原理是將含有外延材料組分的金屬有機化合物氣體通過載氣輸送到反應室，在一定溫度卜進行外延生長。MOCV 1"l技術主安應少“於班一\，.族U-VT族化合物半導體超晶格量子阱等低維材料生長和多元固溶體的多層異質結構材料的生長，還可用十製備高溫超導薄膜，鐵電薄膜，感測器薄膜.太陽能電池薄膜及其他金屬薄膜:該技術工藝可控，操作簡便及適J!jJ-人規模生產等優點:其缺點是所Jfl漱材料為易燃劇毒物質二