射頻化學氣相沉積是指用射頻電漿激活反應氣體，促進在基體表面或近表面空間進行化學反應，生成固態膜的技術。原理是以兩個平行的圓鋁板作電極，通過電容耦合方式輸入射頻功率，反應氣體由下電極中心孔輸入，沿徑向流動，在射頻電場激勵下放電，形成電漿，並在位於下電極表面的基體上生成固態膜。在沉積中，基體與電漿之間施加偏壓，誘導沉積發生在基體上，偏壓決定沉積速率，襯底偏壓500V時，沉積速率為10nm/min。沉積裝置有電容耦合和電感耦合兩種。射頻頻率般為13.56MHz。電容耦合平行極RFCVD裝置具有放電穩定和功率大的特點。可用絕緣材料作靶,鍍制陶瓷和高分子材料絕緣膜。
基本介紹
- 中文名：射頻化學氣相沉積
- 外文名：radio-frequency chemical vapor deposition
- 學科：材料工程
- 領域：工程技術
簡介,要求,影響因素,特點,原理,
簡介
射頻化學氣相沉積是指利用射頻電漿化學激活氣相反應進行氣相沉積的技術。
要求
為了產生射頻電漿，必須對反應室加上射頻電磁場，反應室壓強保持在0.13Pa左右。
影響因素
在射頻電磁場的作用下，自由電子的運動引起反應物氣體分子的電離，產生電漿，由此降低化學反應的勢壘，這就使得一些難以進行的化學反應變得容易進行。沉積生長時，襯底與電漿之間加有偏壓，誘導沉積發生在襯底之上。偏壓決定了沉積速率，對於頻率為1~10MHz，功率為200W的射頻場，當襯底偏壓為500V時，沉積速率為10nm/min左右。
特點
射頻化學氣相沉積的特點是能用來沉積絕緣膜。
原理
射頻化學氣相沉積的原理是以兩個平行的圓鋁板作電極，通過電容耦合方式輸入射頻功率，反應氣體由下電極中心孔輸入，沿徑向流動，在射頻電場激勵下放電，形成電漿，並在位於下電極表面的基體上生成固態膜。在沉積中，基體與電漿之間施加偏壓，誘導沉積發生在基體上，偏壓決定沉積速率，襯底偏壓500V時，沉積速率為10nm/min。沉積裝置有電容耦合和電感耦合兩種。射頻頻率般為13.56MHz。電容耦合平行極RFCVD裝置具有放電穩定和功率大的特點。可用絕緣材料作靶，鍍制陶瓷和高分子材料絕緣膜。
