在了解溶脫剝離法（lift-off）圖形轉移之前，首先需要了解適合於溶脫剝離法的薄膜沉積技術。沉積薄膜的方法很多，包括物理與化學氣相方法、分子束外延方法、旋轉塗覆或噴塗方法以及電鍍方法。但是常用的是物理與化學氣相沉積。
基本介紹
- 中文名：薄膜沉積技術
- 外文名：Membrane Deposition Technique
所謂物理氣相沉積（physical vapour deposition,PVD）包括熱蒸發沉積（thermal evaporation）和電漿濺射沉積（plasma sputtering deposition）。熱蒸發沉積又可按蒸發方法不同，分為電阻蒸發沉積與電子束蒸發沉積。電漿濺射沉積也可以根據電漿產生的方法不同，分為直流濺射、射頻濺射和磁控射頻濺射。化學氣相沉積（chemical vapour deposition,CVD）包括低壓型（LPCVD）、常壓型（APCVD）、電漿增強型（PECVD）和金屬有機化合物型（MOCVD）。近年來一種新型薄膜沉積技術即原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）受到廣泛關注。以上各種薄膜沉積方法的主要特點與區別列於表一中。
表一：常用薄膜沉積技術的主要特徵比較
考察一種薄膜沉積方法是否適合於溶脫剝離法圖形轉移需要注意兩點：一是沉積過程中的襯底溫升，二是沉積的方向性。由於溶脫剝離法依賴於光刻膠圖形作為掩模，每一種光刻膠都有一個剝離化轉變溫度（Tg），當溫度大於Tg時光刻膠開始軟化並可流動，導致光刻膠圖形倒塌或者變形。由表二可見，CVD沉積方法一般需要較高的襯底溫度，因而不適於剝離法圖形的轉移。
沉積的方向性直接決定了是否能夠成功剝離沉積的薄膜。圖表二（a）是在沉積方向性好的情況下薄膜沉積與剝離的結果。當光刻膠膜層被清除後，只有沒被掩模覆蓋的區域留下金屬膜圖形。表二（b）是在沉積方向性差的情況下薄膜沉積與剝離的結果。由於沉積的方向性差，光刻膠圖形邊壁上也有薄膜沉積，將光刻膠頂部與襯底上的金屬膜連成整體。當清除光刻膠層時，一種可能是整個金屬膜也隨著光刻膠層被一起清除，這在沉積金屬膜與襯底結合不牢時完全可能發生。另一種可能是如表二（b）所示，光刻膠頂部的金屬膜雖然被清除了，但邊壁的金屬膜與襯底上的金屬膜連成一體，留在襯底上。綜合以上兩點，只有熱蒸髮式薄膜沉積能夠同時滿足襯底溫升底與沉積方向性好的要求，因而也最適合於溶脫剝離法圖形轉移。
表二：薄膜沉積方向性對剝離結果的影響
