《同步輻射輔助光化學氣相沉積技術研究及套用》是依託中國科學技術大學，由張國斌擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：同步輻射輔助光化學氣相沉積技術研究及套用
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張國斌
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：10575099
- 申請代碼：A3010
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：35（萬元）
中文摘要
光化學氣相沉積（Photo-assisted CVD）可以大幅度降低薄膜生長的溫度，避免其他CVD中的高溫生長所產生的界面原子擴散、熱應力等問題，並且可以針對反應氣體特定能級作選擇激發，有利於控制薄膜生長過程，極大地提高薄膜的質量，因此，這一技術正受到越來越多關注。本項目擬利用同步輻射產生的高強度、波長可調諧的真空紫外光作激發光源，開展同步輻射光輔助的CVD(SR-CVD)技術研究；並結合p型摻雜ZnO薄膜等的SR-CVD製備，研究光CVD中氣體分解、碎片的形成、在基片上沉積等過程的物理化學問題，探索SR-CVD套用於先進薄膜材料製備和光CVD薄膜生長機理研究的方法，並爭取製備出高質量p型摻雜ZnO薄膜。
