電漿增強沉積系統

電漿增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2015年7月1日啟用。

基本介紹

• 中文名：電漿增強沉積系統
• 產地：英國
• 學科領域：數學
• 啟用日期：2015年7月1日
• 所屬類別：分析儀器

技術指標

300W,13.56MHz高頻源；500W,50kHz-460kHz 低頻源；反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%，重複性小於±2%；折射率均一性小於±0.001；應力小於50MPa(雙頻)。SiNx 沉積速率大於7nm/min；4”wafer膜厚均一性小於±2%，重複性小於±3%；折射率均一性小於±0.02；應力小於50MPa。

主要功能

系統可以沉積SiO2、SiNX、SiOXNY、a-Si和SiC等介質膜材料，薄膜內應力可控；240mm直徑下電極，可加熱至400℃，可承載8英寸及以下樣片；具有腔壁自動加熱功能，腔壁溫度維持在80℃左右；配置冷水機，控溫精度達到±0.5℃；計算機控制腔體抽真空及充氣過程，編程控制沉積參數。