電漿多源傳輸沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2014年7月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:電漿多源傳輸沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2014年7月1日
電漿多源傳輸沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2014年7月1日啟用。
電漿多源傳輸沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2014年7月1日啟用。技術指標沉積光伏用光學薄膜SiO2和Si3N4, 超硬功能材料AlN,TiN和類金剛石膜。1主要功能沉積光伏, 超硬功能材料AlN,TiN...
電漿增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2015年7月1日啟用。技術指標 300W,13.56MHz高頻源;500W,50kHz-460kHz 低頻源;反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%,重複...
電漿增強氣相沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月20日啟用。技術指標 氣路:N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2;清洗氣路: CF4/O2混合氣體;樣品尺寸:8英寸table,可沉積最大6英寸基片;射頻...
電漿化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底...
甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si...
氣相沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2015年4月1日啟用。技術指標 反應器配備5kW微波電源,可產生高密度電漿,可以以高生長率製備單晶薄膜;生成室配置SUS雙水冷管,以降低等離子輻射熱度;反應器內的真空壓力應達到10-5Pa...