氣相沉積系統

氣相沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2015年4月1日啟用。

基本介紹

• 中文名：氣相沉積系統
• 產地：日本
• 學科領域：數學
• 啟用日期：2015年4月1日
• 所屬類別：分析儀器

技術指標

反應器配備5kW微波電源，可產生高密度電漿，可以以高生長率製備單晶薄膜；生成室配置SUS雙水冷管，以降低等離子輻射熱度；反應器內的真空壓力應達到10-5Pa以下；反應器內配備可上下升降的基片平台，電動式基片平台的升降範圍在60mm以上，精度為0.1mm；樣品台可放置50mm基片；配備有測量、分析電漿光譜的光纖光譜儀，測量範圍在200mm至800mm；配備有測量基板溫度的雙波長紅外溫度計，測量範圍在480～1400℃，並有與參照測定溫度點進行比對的功能。

主要功能

設備利用波導管將微波源發生的微薄傳輸到CVD的反應腔，經過調諧，微波電磁場在CVD反應腔體中形成共振，腔體中引入的反應氣體在電磁場的作用下形成一定形狀的電漿，進而在電漿中放置的襯底表面生長所需的材料薄膜，如金剛石或者類金剛石薄膜等。在2 inch的Si襯底上，能夠以50mg/小時（7um/hr）的生長速度生成多晶金剛石薄膜，薄膜品質達到雷射拉曼分光儀測量值在FWMH15cm-1以下。