射頻等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:射頻等離子增強化學氣相沉積系統
- 產地:英國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2008年12月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 色譜儀器 > 離子色譜儀
射頻等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年12月1日啟用。
射頻等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年12月1日啟用。技術指標反應室口徑600mm,沉積溫度200℃,重複率小於正負2.5%,均勻性小於正負5%。1主要功能鍍Dlc薄膜。1...
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰極高密度電漿源(HCD)、感應耦合電漿源(ICP)或微波電漿源, VHF(甚高頻)電源 襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑 帶RF偏壓的襯底托; 加熱溫度:最高800°C...
射頻化學氣相沉積是指用射頻等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。原理是以兩個平行的圓鋁板作電極,通過電容耦合方式輸入射頻功率,反應氣體由下電極中心孔輸入,沿徑向流動,在射頻電場激勵下放電,形成電漿,並在位於下電極表面的基體上生成固態膜。在沉積中,基體與...
等離子體增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底旋轉,轉速為30~60轉/分;基片加熱為700±1℃; (2) 噴淋頭分為三層結構...
射頻電漿增強化學氣相沉積 射頻電漿增強化學氣相沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 反應是由平行電極之間的射頻產生的電漿所激活的化學氣相沉積。出處 《材料科學技術名詞》。
射頻等離子體化學氣相沉積 射頻電漿化學氣相沉積是電漿增強化學氣相沉積技術中的一種,其特點在於電漿是高真空度下氣體在射頻交變電場的作用下發生電離而產生。根據射頻電場耦台形式的不同,可以分為射頻感應耦合斌和射頻電容耦合式。原理及特點 原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成電漿,基體...
等離子增強化學氣相沉積系統 等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月13日啟用。技術指標 三室陣列式,室溫-350℃,常壓-10-4Pa。主要功能 沉積矽薄膜。
等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統 等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月20日啟用。技術指標 根據不同材料 成膜速率10nm/min 折射率良好 均勻度偏差小於5%。主要功能 製備高介電常數、均勻、緻密的絕緣層薄膜。
等離子體增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。技術指標 直徑450*H400mm,真空極限優於6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對基片影響小,可製備厚膜,膜層成分均勻,電漿對基片有清洗作用。主要功能 低溫成膜,溫度對基片影響小,可製備...
等離子體化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (measured at 632.8nm) 1.46 (control 1.46-1.50)折射率均一性 ? 0.05 (200...
濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。技術指標 真空系統:分子泵機組; 澱積室規格:?400×150mm; 澱積室樣片台尺寸:?290mm(熱均勻區?220mm); 澱積材料:SiO2、Si3N4、非晶矽、碳化矽、類金剛石等; 澱積速率:200...
等離子增強化學氣相沉積設備 等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。技術指標 高質量薄膜生長。主要功能 沉積a-Si,SiNx, SiO2薄膜。
全自動等離子體增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
等離子體化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和600W各一台 氣路系統:不低於6路 刻蝕均勻性:≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣調節火焰形狀主燈、主燈火焰抽風罩、紅外高溫探測儀、SOOT自動去除系統、預製棒...
等離子體增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負5℃;可用於沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負5%;可接入6路工藝氣體;傳送腔室最終壓力小於10Pa;反應腔室最終壓力小於2Pa。主要功能 主要用於製備...
等離子體化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度,均勻性,折射率,透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成電漿,利用低溫電漿作為能量源,通入適量的反應氣體,利用電漿...
等離子化學氣相沉積機 等離子化學氣相沉積機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2017年11月9日啟用。技術指標 氧化矽成膜速率大於400nm/min,氮化矽成膜速率大於100nm/min。主要功能 成膜。
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑最大8 寸的晶圓,碎片可由載片器裝載; 工藝溫度控制在20°C 到400°C 之間...
感應耦合式等離子體增強型化學氣相沉積系統 感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
多腔體等離子體增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體,不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
甚高頻等離子體化學氣相沉積系統 甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si、nc-SiGe、Ge量子點、AZO、ITO 薄膜。