等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月20日啟用。
基本介紹
- 中文名:等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統
- 產地:美國
- 學科領域:信息科學與系統科學
- 啟用日期:2013年11月20日
- 所屬類別:工藝試驗儀器
等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月20日啟用。
等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月20日啟用。技術指標根據不同材料 成膜速率10nm/min 折射率良好 均勻度偏差小於5%。1主要功能製備高介...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和...
電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底...
等離子增強化學氣相沉積系統 等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月13日啟用。技術指標 三室陣列式,室溫-350℃,常壓-10-4Pa。主要功能 沉積矽薄膜。
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰極高密度電漿源(HCD)、感應耦合電漿源(ICP)或微波電漿源, VHF(甚高頻)電源 ...
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑...
全自動等離子體增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
等離子體化學氣相沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月4日啟用。技術指標 工藝溫度 300~350℃沉積速率 40nm/min膜厚均一性 ?2% (100mm樣品)?4% (200mm樣品)重複性 ?3% 折射率 (...
射頻等離子增強化學氣相沉積系統 射頻等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年12月1日啟用。技術指標 反應室口徑600mm,沉積溫度200℃,重複率小於正負2.5%,均勻性小於正負5%。主要功能 鍍Dlc薄膜。
感應耦合式等離子體增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。技術指標 真空系統:分子泵機組; 澱積室規格:?400×150mm; 澱積室樣片台尺寸:?290mm(熱均勻區?220...
氣相沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2015年4月1日啟用。技術指標 反應器配備5kW微波電源,可產生高密度等離子體,可以以高生長率製備單晶薄膜;生成室配置SUS雙水冷管,以降低等離子輻射熱度;反應器內的真空壓力應達到10-5Pa...
化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2011年11月28日啟用。技術指標 MCVD機械控制系統,包括:機架、石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣...
3.2.2直流濺射沉積 3.2.3射頻濺射沉積 3.2.4磁控濺射沉積 3.3真空電弧沉積 3.3.1真空電弧沉積的原理及其優缺點 3.3.2真空電弧沉積的巨觀顆粒污染 3.3.3陽極電弧沉積 3.4離子鍍 參考文獻 第4章等離子體增強化學氣相沉積 4....
其中材料製備設備方面有:四靶磁控濺射系統、準分子脈衝雷射外延生長系統、原子層沉積薄膜生長系統、等離子體增強化學氣相沉積系統、電子束蒸發薄膜沉積系統和真空氣氛條件下薄膜快速熱處理系統;器件研製方面有:紫外光刻機和反應離子刻蝕系統;...
步驟1:利用金屬化學有機氣相沉積方法在襯底上依次外延生長氮化鎵N型接觸層、多量子阱有源區和氮化鎵P型接觸層;步驟2:採用感應耦合等離子體、電子迴旋共振、反應離子刻蝕乾法刻蝕技術進行器件隔離;步驟3:在氮化鎵P型接觸層上採用電子束...