濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。
基本介紹
- 中文名:濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學、化學、材料科學、能源科學技術
- 啟用日期:2015年11月30日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 化工、製藥工藝實驗設備 > 純化工藝實驗設備
濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。
濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。技術指標真空系統:分子泵機組; 澱積室規格:?400×150mm; 澱積室樣片台尺寸:?2...
是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法。電漿增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)技術是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後...
電漿增強化學氣相沉積設備是一種用於環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月19日啟用。技術指標 直徑450*H400mm,真空極限優於6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對基片影響小,可製備厚膜,膜層成分...
等離子增強化學氣相沉積設備 等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。技術指標 高質量薄膜生長。主要功能 沉積a-Si,SiNx, SiO2薄膜。
等離子體增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2015年7月1日啟用。技術指標 300W,13.56MHz高頻源;500W,50kHz-460kHz 低頻源;反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%,重複...
等離子體化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成...
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑...
感應耦合式等離子體增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
多腔體等離子體增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體,不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
精密微納製造技術全國重點實驗室的前身為機械製造系統工程國家重點實驗室(State Key Laboratory for Manufacturing Systems Engineering),於1989年立項;1995年10月通過驗收並對外開放運行;2022年建設成為精密微納製造技術全國重點實驗室。實...
所述阻隔層的製備方法選自直流濺射、射頻濺射、反應濺射、等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積中的一種。不同所述阻隔層的材料相同或者不同,選自氧化鋁、氧化矽、氮化矽、氧化鈦、氧化鋯、氮氧化鋁、氮氧化矽、非晶碳中的一種或多種 ...
Denton多靶磁控濺射鍍膜系統 HARRICK等離子清洗機 微納圖形加工設備 Zeiss Auriga場發射電子束/聚焦離子束雙束系統 測試設備 KLA-Tencor P7 台階儀 薄膜II區 薄膜沉積設備 Oxford 電漿增強化學氣相沉積系統 刻蝕設備 Sentech ICP反應離子...
主要大型儀器設備有:金屬有機化合物氣相沉積(MOCVD)系統、微波等離子體增強化學氣相沉積(MPECVD)系統、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)系統、磁控濺射系統、反應離子刻蝕機、光刻機、高精度絲網印刷機、大型高精度點膠機、高精度噴砂...
自2021年公司成立,公司完全自主設計製造分子束外延設備(MBE)、全自動磁控濺射設備、電子束鍍膜機、OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備,採用磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積PECVD技術,設計製造了團簇式太陽能薄膜電池中...